请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1318233/awr2944-awr2944
器件型号：AWR2944您好！
主题：启用缓存
1.在 ARM Cortex-R 系列编程人员指南-版本1.0中 ，链接-"">developer.arm.com/.../System-Control-Register--SCTLR-"
a)在系统控制寄存器(SCTLR)中-
"i"位-启用/禁用指令高速缓存
"C"位-启用/禁用数据和统一缓存
b) 在 MPU 配置中、 应启用 MPU、并且可以根据工程需求定义存储器区域标志(适用于 L1、MSS_L2和 DSS_L3区域)。
2.这与其他文档-Cortex-R5技术参考手册 r1p2, 链接-"">developer.arm.com/.../c1--System-Control-Register 有冲突
a)在系统控制寄存器(SCTLR)中-
"I"位-启用/禁用 L1指令缓存
"C"位-启用/禁用 L1数据和统一高速缓存
这里 L1存储器是 TCM 存储器、大约为128K。
如果这些指令仅启用 TCM 存储器，那么如何为 MSS_L2、DSS_L3存储器启用缓存？
b) 在本例中、MPU 配置和定义存储器区域标志(对于 L1、MSS_L2和 DSS_L3区域)有什么影响？
3.请您向我们提供最新版本的 ARM cortex R5技术参考手册和编程指南,以便在我们的团队内有一致的文档?
此致、
谢拉
