当我们评估我们的 AWR6432模块时、有时噪声级别会急剧上升。 它涉及模块设计。
查看每个天线的距离曲线、模块如果直流泄漏水平更高、则噪声水平也更高。
TI EVM 的直流泄漏水平较低、并且噪声也没有增加。
我们还尝试了控制 Rx 增益、HPF norner 和 Tx 退避。 如果我们更改每个值以抑制直流泄漏水平(这意味着 Rx 增益更低、HPF 转角更高、Tx Back-Off 更大)、则不会增加噪声。
在 AWR6843模块评估中未观察到这种现象。
那么、在使用 AWR6432模块时、我们是否应该足够抑制直流泄漏？
如果您知道、您能谈谈直流泄漏与噪声增加之间的关系吗？
这是我们的模块和 TI EVM 的距离剖面结果。 (FW 是基于 SDK5.3的动作和存在的原始版本)
本评估在箱内进行。 我们认为、约50cm 的峰值将是来自试验室内壁的反射。
・TI EVM 
・我们的模块 
谢谢！
此致
德语
大家好、TAK：
我建议您检查您的模块是否存在 ADC 削波。 噪声水平可能是由于削波。
直流信号就是我们所说的 TX 耦合。 当直流信号高得多时、相位噪声也会增加。 因此您可能会看到噪声增加。 要实际观察噪声水平、应该为静态测试绘制距离多普勒 FFT 输出图。 零多普勒表示信号、非零多普勒通常表示本底噪声。 您观察到的噪声可能只是 FFT 扩散效应或 ADC 削波、它们并不是我们通常讨论的真正的本底噪声。
您可以在下面使用 TI EVM 参考我的测量结果。 在距离多普勒 FFT 之后、您可以看到零多普勒在接近直流(表示 TX 耦合)和距离单元60 (表示角反射器)附近显示了高峰。 另一个非零多普勒单元表示噪声级别。 在评估结果时、您需要首先确保没有 ADC 削波(检查 ADC 数据)、然后应用平移窗口以避免范围强大的 FFT 窗口效应。
此致！
自贡
