工具与软件：
你好、L6432AOP Champ！
您能否查看定制电路设计、尤其是针对可能基于 IWRL6432AOP 的引导模式、电源轨、存储器和连接器？
我的客户首先已完成传感器区域设置、并使用连接器(8CON5)连接到可扩展区域。
e2e.ti.com/.../kspl2405_5F00_f_5F00_device_5F00_radar_5F00_6432_5F00_ws_5F00_rev01_5F00_20240724.pdf
谢谢。此致、
插孔
尊敬的 Jack：
我们完成了原理图审阅并发现了各种主要错误。 我建议客户遵循下面的 IWRL6432AOP EVM 设计。
https://www.ti.com/lit/zip/sprr496
1. RADAR_SRAM_OUT 未连接到1.2V 电源。 对于3轨电源优化 SRAM_OUT 应连接到 RADAR_1V2和 RADAR_1P2_RF。
2.目前 LDO 用于1.2V 和1.8V 电源、建议不要使用直流稳压器来满足以下标准、或遵循 TI 参考设计。
| 满足每个电源轨的峰值电流要求 | |
| 低静态电流、高效率 | |
| 强制 PWM 或 PFM 模式控制 | |
| 扩频时钟 | |
| PGOOD 功能 | |
| 小封装尺寸 | |
| 更高开关频率(3.5MHz 模数转换器(- 4MHz)) |
3. QSPI 闪存默认情况下没有启用 QE 位。 此外、QSPI_D3和 QSPI_CS 的上拉电阻也不正确。 QSPI_D3应具有10k Ω 上拉电阻、QSPI_CS 应具有47.5K Ω 上拉电阻、反之亦然。 另外、 请使用具有以下标准的闪存。
| 时钟频率大于或等于80MHz | ||
| 四路使能(QE)位为1 | ||
| 快速读取、编程和擦除时间 | ||
| 闪存应等于或小于64Mbit | ||
| 低功耗 | ||
| 支持 SFDP 命令 | ||
| 更小的封装尺寸 |
4.请检查分压器 R6550和 R6651值以获得正确的3.3V 输出电压
5.接口和关键信号缺少必要的上拉和下拉。
6.无重置 RC 延迟电路丢失。
6. VPP 已连接、它们是否正在使用经过验证的启动设备？ 对于 GP 器件、VPP 应为 DNP。
7. SOP0和 SOP1未定义。 应定义 SOP0和 SOP1以实现正确启动。
8. XTAL 外部负载电容应为4.7pF 而不是15pF
9.请检查 TI EVM 参考设计中正确的去耦电容器。
