工具与软件：
在 TIDA-00917参考设计(https://www.ti.com/tool/TIDA-00917)中、为了增加栅极驱动器 IC 的电流容量、使用了 BJT 图腾柱电流缓冲器。
我知道峰值拉电流/灌电流取决于与 IGBT 的栅极端子串联的外部电阻。 但是、我不知道如何调整 BJT 的基极电阻器(R5、R6)的大小。
按照我的理解、在此应用中、我们希望 BJT 在饱和区域运行、这被视为电压源、因此允许对 IGBT 的输入电容进行快速充电。 换句话说、必须避免电流缓冲器/升压器中 BJT 的有源/线性区域。 为此、我们将尝试减少其基极电阻、以确保 BJT 始终在给定栅源驱动电压的饱和区域内运行。
您能解释一下如何计算这些电阻吗？
此外、为什么在 NPN BJT (Q1)和驱动器电源轨之间放置一个0.3 Ω 电阻器(R36)？
尊敬的 Minh：
为了确保这些 BJT 在饱和区域绞线、我们需要检查其相关规格。
从该图中我们知道、在8A 集电极电流下、VCE 至少需要1000mA 基极电流才能保持在低电平。
在该设计中、Ic 峰值预计为8A 拉电流和9A 灌电流。 请参阅设计指南第8页的公式(2)和(3)。
因此、此处设计的 Ib 略低于2A 以满足这一要求。 实际上、您可以在此处除2A 外的相当宽的范围内对其进行调节。 例如1.5A~3A。
请注意、更改时可能还需要调整 R10和 C39的软关断电路以实现适当的 SCP 性能。
对于0.3欧姆 R6、中的有助于使拉电流略低于 IGBT 栅极的灌电流、这 是驱动 IGBT 的常见操作。
此致、
Jerome Shan
Jerome、您好！
非常感谢您提供详细的回答。
您已经注意到、在更改 BJT 的基极电流时、应更改 R10和 C39以实现适当的 SCP 性能。 但是、如您的文档之一所述、这些元件的值 仅取决于 软关断(STO) 放电时间以及栅极驱动电压(请参阅下面的照片)。 请您详细解释一下这一点吗？
请参考下面 3个问题的第2和第3个数字：
1.我们是否应该将肖特基二极管与 NPN BJT 并联以保护其免受过压影响? (根据文档中的建议： https://www.ti.com/lit/an/slla472a/slla472a.pdf?ts = 1743478842982)
2. 在同一文档中、您还建议在 BJT 的基极和发射极之间连接一个电阻(50欧姆至100欧姆)、以便使有效栅极驱动器电压接近电源轨的标称值？ 在 TIDA-00917的原理图中、我可以按照第三张照片的方式做吗？
2.电容器 C26,C27的具体作用是什么? 它们是去耦电容器吗？ 我们如何计算它们？
此致、
Minh。
