This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TIDA-050045:次级侧 MOSFET 问题

Guru**** 2331900 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-050045, CSD18514Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1500009/tida-050045-sec-side-mosfet-question

器件型号:TIDA-050045
主题中讨论的其他器件: CSD18514Q5A

工具/软件:

您好、

我的客户提出了几个问题、您能帮助检查一下吗?

1.照片错误? 它滥用了 TPS23730EVM 的 pic、次级侧两个 MOSFET 是相同的。

在 BOM 中、Q6和 Q8不同。

2.客户质疑为什么选择100A MOSFET。 我检查 D/S、当结温上升时、需要降低 Id 额定值、同时我们将使其通过自然通风进行冷却。 对吧?

谢谢、

Zach

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zach:

    感谢您联系我们!

    TIDA-050045是采用相同 PCB 的 TPS23730EVM 的5A/10V 版本。 最新的  TIDA-050045 已更改了打印内容、以替换"TPS23730EVM"。 但电路板相同、采用了不同的 BOM。 如果您需要 PCB 文档、请告诉我。  

    2.无需100V NMOS。 40V 对于5V/10A 输出应该足够了。 可以考虑使用 CSD18514Q5A。

    您可以将 FET 留在没有散热器的情况下、MOSFET 不会很热、缓冲电阻可能会很高。 您可以使用2512尺寸的电阻器来实现较低的温升。  

    此致、

    DIAN