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[参考译文] PMP22650:基于 GaN 和硅 FET 的有源钳位反激式转换器的比较

Guru**** 2330830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1522505/pmp22650-comparison-of-gan--and-silicon-fet-based-active-clamp-flyback-converters

部件号:PMP22650

工具/软件:

我想为 GaN FET 器件设计驱动器电路。 需要相关的技术文档。

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    嗨 Deepti、TI GaN FET 器件的优点在于、它们集成了 IC 栅极驱动器、可在基于 GaN 的电源解决方案中实现高开关频率时、更大程度地减少寄生效应。