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[参考译文] LM5117:仿真收敛问题

Guru**** 2412600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117, TINA-TI, CSD19536KTT

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1539267/lm5117-simulation-convergence-problem

器件型号:LM5117
主题中讨论的其他器件: Tina-TICSD19536KTT

工具/软件:

大家好!

我正在基于 LM5117 仿真高电流直流/直流转换器、但我收到了很多收敛错误消息。

我从 Excel 文件(已附加)开始以进行快速启动、然后传递到 TINA-TI 仿真器。

我打开了“snvm619a.mc"<xmt-block0>“ tsc TI 基础工程、我逐步更改了所有元件、以获得所需的原理图。
在每一个变化步骤,我启动了仿真,以确保它工作正常... 直到我添加了 TI MOSFET“CSD19536KTT" 并且“并且出现问题。

我尝试更改了分析参数并按照 TI 网络论坛中的建议增加了分流电导、但没有成功。

我尝试提高直流和瞬态的误差百分比、但没有...

请帮帮我。 我不知道如何解决这个问题、我必须尽快关闭该工程并开始构建测试 PCB 板。

提前感谢您、

Michele Faini


e2e.ti.com/.../LM5117-Simple-Constant-Voltage.tsce2e.ti.com/.../CSD19536KTT_5F00_TI.TSMe2e.ti.com/.../Simulation1-_2D00_-LM_2800_2_2900_5117_5F00_quick_5F00_start_5F00_hv_5F00_calculator-V1.5.xls

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    你好、Michele  

     模拟 CSDxxxx 模型时出现问题、我不负责 CSDxxxx 器件。  

    您是否要使用 snvm619a 中的默认 MOSFET 进行仿真?

    - EL

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    您好、Eric、

    snvm619a 中使用的默认 MOSFET 是具有高 Rds-on 的低电流器件、我无法使用它、因为在我的工程中、电流非常高(250 安培)、如果使用其他 MOSFET、则无法达到结果。

    因此、我打开了一个新的 TINA-TI 文件、只测试 CSDxxxx 器件、将其打开和关闭@250kHz、工作正常! 因此、我认为 CSDxxxx Tina-TI 模型没有问题。 当我将 MOSFET 与 LM5117 配合使用时、就会出现问题。 还有其他想法吗?

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    你好、Michele  

    是的、您回答正确。 LM5117 模型可以与其他 MOSFET 模型一起使用、但与 CSDxxxx 模型一起使用时会弹出收敛错误。  

    - EL   

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    您好、Eric、

    我 在仿真中尝试使用 snvm619a 中使用的默认 MOSFET、但 TINA-TI 提供了相同的收敛误差。

    我不知道如何进行此仿真! 我原以为电路是半圆形的、但要使 DC/DC 正常工作、需要使用元件。

    我尝试使用另一个 MOSFET 由英飞凌... 相同的错误!

    您能帮我找出问题出在哪里吗?  
    我附上 TINA 文件。
    谢谢、Michele

    e2e.ti.com/.../7485.LM5117-Simple-Constant-Voltage tsc 

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    您好、Michael。

    如果我从 snvm619 开始、它会很好地工作。 请尝试以下操作

     e2e.ti.com/.../snvm619a-_5F00_ModifiedByEL.TSC

    - EL  

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    它似乎有效。 我尝试用 Infineon 高电流 MOSFET 取代标准 MOS 并工作!
    现在、我将添加其他元件来实现恒流控制器...  
    非常感谢!
    Michele

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    感谢选择 TI。 如果您有任何疑问、请随时与我们联系。
    - EL