This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LV5144:自定义直流/直流转换器上的电压持续上升和下降

Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5146, LV5144

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1536962/lv5144-voltage-rising-and-dropping-consistently-on-custom-dc-dc-converter

部件号:LV5144
主题中讨论的其他器件:LM5146

工具/软件:

您好:

参考 LM5146 评估板、我决定使用 LV5144 创建自己的降压转换器设计。 我的预期设计规格是:输入:30-95V、输出:13.5V、20A。  

  • 我能够在无负载的情况下保持 13.5V 电平(电压电平有一些下峰值,但我将在下一次迭代中加入一个泄放电阻器,以稳定空载输出)  
  • 一旦我连接我的直流电子负载并在 CC 模式下将其设置为 2A、输出电压就会形成一个方波、其中电压开启 242ms、电压关闭 62ms。  
    • 我在示波器上进行了检查、因为电源和电子负载波动很大。  
    • 我的 SW 和 ILIM 在 242ms 导通时间内以 400kHz 的频率振荡、在 62ms 电压关闭期间显示为 0V。  
  • 之后、我将电子负载增加到 10A、高侧 MOSFET 发生短路。

我有点迷路了。 正在寻求帮助。 我尝试将 ILIM 电阻器替换为 850 Ω。 没有太大帮助。 我已经在这里附上了原理图。  

e2e.ti.com/.../DC_2D00_DC_5F00_Buck_5F00_Rev02.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:  

    请发送完整的此设计快速入门计算器。

    此致、

    Tim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Tim、

    随附了根据我的设计规格填充的快速入门计算公式。 建议根据需要更改元件或原理图。

    我在填写文档时发现了一些问题:如果未使用 SYNC 引脚、应将  其连接到 GND 或 VCC 以实现 DCM 或 CCM 运行。 我确实通过 20k 电阻器(R6,如我的原理图所示)将 SYNCIN 引脚连接到 VCC。 我是否应该尝试将 20k 电阻器 (R6) 从 SYNCIN 连接到 GND?

     e2e.ti.com/.../LM5145_5F00_quickstart_5F00_calculator_5F00_A5_5F00_revAbhitoTIForum.xlsm

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    内部有一个从 SYNCIN 到 GND 的 20kΩ。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    以下是对快速入门的一些注释:

    22A 电流限制有点严格、以达到 20A 满载。

    18mΩ 处的 COUT ESR 似乎很高。

    Cin 也是如此 — 使用陶瓷电容器以实现最低 ESR。

    如果需要、环路交叉可处于 60kHz(因为 fsw = 400kHz)。

    在 20A 电流下、高侧 FET 功率损耗为 5.5W。 20A 是否为瞬态条件? 考虑将 Fsw 降低至 250kHz。

    122nC 时的低侧 FET 的 Qrr 似乎较高。

    Rgards、

    Tim

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    e2e.ti.com/.../Oscilloscope-Readings-on-Vout-and-SW.pdf

    嗨、Tim、

    你的建议非常有用、我将尽快采纳这些建议。  

    但是、我不确定这些建议能否解决我的问题。 我随附了一个 PDF 文档、其中显示了不同的示波器输出。 请对同一个问题作出评论。  

    谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    以下是对原理图的一些注释:

    1. 移除低侧 FET 上的 2.2Ω-这只会导致与 Cdv/dt 相关的栅极电压凸点(绝对不建议)
    2. 确保 1uF 输入电容器靠近 FET — 请参阅应用手册 SNVA803 以了解更多详细信息。
    3. 检查补偿网络值。 请注意、Cout 及其 ESR 在这里有很大影响。 每个 22uF/25V 陶瓷电容器在 13.5VDC 时为~7uF。 COUT 及其 ESR 应在快速入门计算器中输入为 6 x 7uF = 42uF、1mΩ。现有的补偿网络使其不稳定

    此致、

    Tim