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器件型号：TIDM-02013线程中讨论的其他器件：LMG3522R030、 ISO7710
工具/软件：
您好、
我将使用 TI 的 GaN FET 解决方案 LMG3522R030 来设计一个 EV 充电器、然后使用评估板 TIDM-02013 作为参考。 我有一个问题：为什么在半桥中为低侧 GaN FET 使用 ISO7710 隔离器和隔离式推挽式电源？ 在电路板上、PGND 在电源侧和控制侧之间共用。 我知道高侧需要隔离、但我不认为原因是在低侧隔离。
谢谢、
