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[参考译文] PMP23366:为什么 PD 芯片之后需要大电容 (47uF x 3)

Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2372

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1559312/pmp23366-why-we-need-huge-capacitance-47uf-x-3-after-pd-chip

器件型号:PMP23366
主题中讨论的其他器件:TPS2372

工具/软件:

尊敬的 TI 团队:

为什么在 TPS2372 之后我们需要大电容?

我们可以减少数量吗? 如果我们减少辐射效应、会产生什么副作用?

谢谢你。

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    在转换期间、PoE-RTN 电压将下降、因此您需要足够的保持电容(尤其是在两个 VDD 端口之间存在电压差的情况下)。 我建议您在经过测试时保留参考设计中显示的内容。 谢谢!

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    我们可以将这些电容器靠近 PWM 控制器的一侧 (PGND、

    如果可以、我们只需要一个靠近 PWM 的 SET 电容器、而不需要 2 个靠近 PD1 和 PD2 的电容器。

    请参阅原理图: PMP23366 原理图

    将 C25、C26、C87 移至 PGND

    移除 C34、C35、C88 以降低成本

     

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    你好 Felix、很遗憾我不推荐这家酒店。 VDD 电容器必须能够在第二个端口插入时更大限度地减少浪涌量、否则 PD 控制器将无法满足浪涌规格要求。

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    尊敬的 Darwin:

    浪涌规格是指首先是插件端口还是第二个?

    我认为第二个端口浪涌电流将在 80ms 内由其 PD 控制、对吧?

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    插入一个端口而插入另一个端口时、是否需要实现平稳转换(输出电压没有下降)? 然后、我建议您将当前设计保留在原理图中、并在测试期间取消组装元件、以便在电路板上进行证明。 我记得、我们尝试了许多不同的方法、我们的执行工作很好。