[参考译文] PMP23391：电流感应拓扑

一个亲切的提醒.. μ s

您好、John：  
1. R103 你的意思是 R108,二极管的功能和数字,我想你的意思是相反的正确?
D104 将正向偏置、因为阴极上的电压应该下降、以补偿进入变压器的电流？
当 D102 和 D103 重置变压器的磁芯时、它们应该是正向还是反向偏置？

2.如果在我的设计中,我期望输出电流不超过 10A ,那么这 4 个二极管应该是我的推挽式和反激式设计的最佳选择?

BR、
Mohamed

尊敬的 Mohamed：

1.是的、这是我的错、我在网上使用了 PMP23391 原理图中的标识符、即修订版 C。我相信您有用于测试的修订版 D 版本。 存储的能量通过原理图中的 D102 和 D103 进行传导、这将使它们在复位时间内正向偏置。

2.这对于推挽式拓扑是可以的,但反激式拓扑则不同... 您是否有更多有关反激式设计控制器的信息？ 主要还是次级接地？

您好、John：  
2.1 PWM 控制器将放置在 SEC 侧、我将使用 TPS7H5001-SP 和 TPS7H6003 与 SR。 为什么反激式拓扑会有所不同？
2.2 根据我的估计、最坏情况下 6A 标称电流可能高达 9A、是否需要推挽、或者是否也可以使用反激式？
如何根据可用权衡做出决策。  
2.3 在 SR 的帮助下、我看到了这两个 Sch、它们看起来与次级侧的正常反激式或推挽不同。 为了避免使用栅极驱动器的自举效应、因为您是相对于 GND 驱动 SR FET 吗？  





2.4 上述所有原理图都用于生成+ve 电压、因为我们需要在输出端提供+ve 和-ve 电压、如何更新原理图以适应负电压？  

非常感谢您的支持！
Mohamed  

尊敬的 Mohamed：

2.1 这对于实施是有意义的。 我很好奇、因为我们有单个驱动器+控制器器件 TPS7H5020-SEP。 然而、这不适用于同步设计。

2.2 我会为该设计推荐正向拓扑。 您是否与 TI FAE 联系？ 我正在开发一种采用正向拓扑的 28V 至 5V、15A 设计、该拓扑可实现良好的效率和更少的 BOM 数量。 FAE 可以帮助共享有关该设计的信息。 关于反激式与推挽式、由于高峰值电流、反激式将开始失去效率。 同步很有帮助、但通常反激式设计中没有高输出电流。 可以采用推挽式设计、此拓扑的缺点是尺寸和 BOM 数量、因为它在初级侧和次级侧需要两个 FET。 反激式拓扑会根据尺寸进行优化、推挽式拓扑会优化性能、正激式拓扑是两种拓扑之间的平衡。

2.3 这些原理图似乎没有为隔离式电力输送设置反馈。 通常、我们将控制器置于次级接地端、这样就可以直接检测输出电压。 在这些设计中、他们需要一种方法将控制信号从次级隔离到初级隔离。  

2.4 正确的解决方案取决于负载条件。 具体的 ve+/-电压和预期负载是多少？ 使用反激式时、如果它们具有相同的幅度电压、则可以实现良好的调节。 请参阅 EDN 电源设计小贴士 85： https://www.edn.com/power-tips-85-adding-a-single-capacitor-to-improve-cross-regulation-in-dual-output-flyback-power-supplies/

如果您对此有任何疑问、请告诉我。

谢谢、

John  

您好、John：  
2.2 我认为我们的电流需求是 SR &+ve &-ve 电压约为 6.1V 或更高（然后将其馈送到 PR 以达到 5mvpp 纹波）,最大电流约为 4.5A。 是否可以将此向前调整为在 SR 下均具有+ve -ve 输出？  
2.4 因此、我们目前的需求是在 28V 时具有+–6.1V 电压、其中+6.1V 电压（最大 2.6A）和–6.1V 电压（最大 130mA 电压） 如果我们真正的目标是 85-90%的效率,我们可以做到这一点没有 SR 为这些负载? 最好的策略是什么？

谢谢！  
Mohamed

尊敬的 Mohamed：

2.2 明白了、您提到的配置将允许使用 SR、这有助于降低次级侧的导通损耗。 使用线性稳压器的后置稳压将有助于提高精度和纹波额定值。

2.4 是的、耦合电感器对于交叉调节非常重要。 即使采用后置稳压、您仍然希望使-ve 输出不会飞行到高电平、从而导致高导通损耗。 在计算方面、我会考虑总电感 (6.3A + 0.8A) 的假设一个绕组上整个负载的电流应力。 然后、可以缩小导体的尺寸、以适应其各自负载条件下 的电流应力 (+ve 为 6.3A、-ve 为 0.8A)。

谢谢、

John