Other Parts Discussed in Thread: LM5175-Q1
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器件型号： LM5175-Q1
主题： LM5176 中讨论的其他器件
你（们）好
我在应用中使用 LM5175-Q1 IC。 我对高侧开关自举电容器的充电路径有疑问。
当降压/升压在升压模式下运行时、我注意到降压顶部开关自举电容器电压持续导通、并且降压侧上的 SW 节点并未整个导通（在我的瞬态运行 20ms 的仿真期间）、电容器电压的这种下降会增加降压顶部开关上的 I2R 损耗（RDS ON 升高）。 这是在我的 PSPICE 仿真模型中观察到的。 我附加了启动电容电压下降的波形。
在所附的图像中、直到 8ms、转换器先以升压模式运行、然后以降压模式运行。 粉色迹线和黄色迹线分别是升压和降压的引导电容器电压。
我注意到、随着自举电容器电压下降、开关表现出更高的导通损耗。
（请注意，我降低了引导电容值并运行仿真，只是为了查看是否有任何 UVLO 关断、直到引导电容值达到 4V，我没有观察到任何关断，运算电压在某个时间点后开始崩溃）
请帮助我了解该问题的解决方案。
Q2) 什么限制了启动时的瞬态峰值电感器电流？、我从 TI 计算器得到的 Rsense 值（假设 16A 峰值电感器电流为 10 毫欧）不会将峰值电感器电流限制在 16A 以内。 （随附的波形也说明了这一点）。 这应该可以帮助我选择峰值电感器饱和电流。