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[参考译文] LMG708B0:PLMG708B0VBTR 的设计评审

Guru**** 2886930 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1635338/lmg708b0-design-review-of-plmg708b0vbtr

器件型号: LMG708B0

switcher_28V_8v0 (1).pdf switcher_28v-8v0.xls LMG708B0_quickstart _A23-12V_20A_400kHz (1).xls 


连接  PLMG708B0VBTR 开关原理图设计 pdf、BOM、Calc。 数据表。 请查看并分享您的反馈。
Vin-–28V
VOUT--–8V
Iout(典型值)–10A
开关频率---–400kHz
请查看 并分享您的反馈。  

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    谢谢、Suraj。 我将查看文件、然后返回到您的 tmrw。

    --

    Tim

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    正在等待反馈!! 、Timothy

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    尊敬的 Suraj:

    请注意、我们有 36V/10A 转换器可在此处工作、因为 Vin-max 仅为 36V(无需 80V GaN 器件)。

    以下是一些注意事项:

    快速入门:

    1. 电感器纹波电流有点高 (43%)-检查电感器磁芯损耗。
    2. 输入的 ESR 为 50mΩ — 非常高。 并联陶瓷电容器会降低有效值。 请注意、陶瓷值随着电压而降额、因此 188uF 也不正确。 这会影响补偿计算。
    3. 使用 2mΩ 分流器将电流限制设置为 12.8A。 CC 环路设定点高于此值、因此不会启用。 如果不需要 CC 环路、请将 IMON 连接至低电平。

    原理图:

    1. 无需 10pF FF 电容器。
    2. 考虑添加一个输入阻尼电容器(有关示例,请参阅 EVM)。

    此致、

    Tim

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    感谢您的迅速响应,Timothy

    我已经了解了您的反馈点并附上了新的快速入门表:

    1 电感器值从 3.3uH 更改为 4.7uH (MPN: Wurth 提供的 744393605047) 电感器纹波电流为 31%。

    2ESR 将非常低、约为 0.5 –1mΩ。此外、预计电容器降额值约为 110 μ F。

    3-我们将放置 0 欧姆在 IMON 分辨率和拆卸帽。
    4-您能进一步说明输入阻尼电容吗? 您指的是在 Vin 引脚附近有 RC 类型吗? 如果是、则可以使用具有 4.7uf 组合 b/w 输入电容和 Vin 引脚的 2.2 Ω 电阻器?

    e2e.ti.com/.../LMG708B0_5F00_quickstart_5F00_28V_5F00_8V_5F00_20A_5F00_400kHz-_2800_1_2900_.xls

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    谢谢、Suraj。

    快速入门看起来不错。 输入阻尼电容器通常设置为 Cin 降额陶瓷值的四倍。 请查看该 EVM 以供参考。 数据表中也提到了它。

    PS:您可以使用 Wurth XHMI 1060P 而不是 1010P — 这将有助于降低成本。

    此致、

    Tim

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    谢谢 Timothy、
    我希望根据我的理解、以下几点也是正确的。 请确认是否需要更改以下内容。
    当禁用 CC 模式时、IMON 较低且 ISET 电压大于 1V(使用分压器时典型值为 1.2V)、此外 Vset > 1V、用于基于内部 Vref 的输出电压调节。

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    尊敬的 Suraj:

    VSET 和 ISET 具有上拉至~3.3V 的内部电流源。 将 IMON 连接为低电平以禁用 CC 模式运行。

    此致、

    Tim