[参考译文] PMP22764：MOSFET 损耗

您好、达尔文、

感谢您的重播。

1)

如果我理解正确、请告诉我。 对于给定的变压器、我具有漏电感 Llk 和初级侧寄生电容 Cp、如果我选择具有 lover Qg 的更快的 FET、我将节省开关损耗、 但缺点是、具有较低 Qg 的 FET 也具有较低的输出电容、并且我将获得更大的 VDS 尖峰按以下公式计算：

因此，我必须增加 RDC 钳 位缓冲器，使其具有相同的过冲，然后 RDC 钳位上的损耗会增加，这是正确的吗？

2) 2)这难道不是肖特基二极管没有反向恢复时间的优势吗？ 无反向恢复时间意味着 CCM 反激式中的损耗更低？

在  STPS10200SF 第3页的 DS 中、图4  

QRR=VR*C ~ 170V*50pF = 8.5nC

我们如何比较 的 Qrr STPS10200SF 和 PDU620-13的 TRR

此致、

David。