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[参考译文] PMP22764：MOSFET 损耗

admin
Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP22764, LM5156H, CSD19531Q5A, CSD19534Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1107873/pmp22764-mosfet-losses

器件型号：PMP22764
主题中讨论的其他器件： LM5156H、 CSD19531Q5A、 CSD19534Q5A

尊敬的所有人：

我们将基于 PMP22764并借助 LM5156H IC 设计类似的反激式转换器。

e2e.ti.com/.../3929193

我这个 e2e 线程被声明  PMP22764的设计目的是实现最佳效率、 但我们希望得到更好的结果、因此我使用 CSD19531Q5A (目前用于 PMP22764)和 CSD19534Q5A 进行了计算、并且得到了大约 1W 的差值、如果我没有找到任何东西、请查看是否可以进行计算？ 我还 在 另一侧 的 STPS10200SF 上使用了肖特基二极管 。

变压器： ZB1368-AL Coilcraft

Vout= 55.75V

Iout_max = 1.2A

18V 至30V 输入电压->典型值24V

我的计算

VCC 10. 五 变压器辅助绕组外部 CSD19531Q5A
等源代码 1.65 A 图8-14峰值驱动器电流与 VCC 间的关系 问题 37. 常闭
散热器 1.75 A 图8-14峰值驱动器电流与 VCC 间的关系 Rdson 5.3. m Ω
输出电容 560 PF
Idriver 1.7. A
TR 22.42424242 ns 上升时间 EQ5.
F_SW 252.5 kHz Tf 21.14285714. ns 下降时间 EQ5.
I_rms 4.85. A EQ 1
V_DS 58.2. 五 EQ 2. RDSON_FACTOR 1.75
I_PEAK 7.56. A 计算器中的所有内容
P_COND 0.218171188 W EQ3
P_SW 2.659586246 W 问题4
P_tot 2.877757434 W
VCC 10. 五 变压器辅助绕组外部 CSD19534Q5A
等源代码 1.65 A 图8-14峰值驱动器电流与 VCC 间的关系 问题 17. 常闭
散热器 1.75 A 图8-14峰值驱动器电流与 VCC 间的关系 Rdson 12.6. m Ω
输出电容 257. PF
Idriver 1.7. A
TR 10.3030303 ns 上升时间 EQ5.
F_SW 252.5 kHz Tf 9.714285714 ns 下降时间 EQ5.
I_rms 4.85. A EQ 1
V_DS 58.2. 五 EQ 2. RDSON_FACTOR 1.75
I_PEAK 7.56. A 计算器中的所有内容
P_COND 0.518671125 W EQ3
P_SW 1.221844923 W 问题4
P_tot 1.740516048 W

您是否会建议  CSD19534Q5A 高于 CSD19531Q5A ，或者在上述 计算中缺少某项内容？

BR、

David。

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    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、David、1W 的节能效果将在重负载下实现~1%的效率节省、这是可能的、也是我过去看到的。 与较快的 FET 的权衡是、您可能会在上升沿具有较大的过冲、因此可能需要增加 RCD 钳位。 结果可能会改善不到1%。  

    对于次级侧的整流二极管、我在数据表中没有看到反向恢复规格。 如果尝试优化效率、通常需要较短的恢复时间。 您可能需要首先测试新的 FET、然后查看它是否提高了性能。 然后、您可以使用新的肖特基二极管进行测试、并再次测试性能。 谢谢！

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    TI__Guru**** 657930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、达尔文、

    感谢您的重播。

    1)

    如果我理解正确、请告诉我。 对于给定的变压器、我具有漏电感 Llk 和初级侧寄生电容 Cp、如果我选择具有 lover Qg 的更快的 FET、我将节省开关损耗、 但缺点是、具有较低 Qg 的 FET 也具有较低的输出电容、并且我将获得更大的 VDS 尖峰按以下公式计算：

    因此，我必须增加 RDC 钳 位缓冲器，使其具有相同的过冲，然后 RDC 钳位上的损耗会增加，这是正确的吗？

    2) 2)这难道不是肖特基二极管没有反向恢复时间的优势吗？ 无反向恢复时间意味着 CCM 反激式中的损耗更低？

    在  STPS10200SF 第3页的 DS 中、图4  

    QRR=VR*C ~ 170V*50pF = 8.5nC

    我们如何比较 的 Qrr STPS10200SF 和 PDU620-13的 TRR

    此致、

    David。

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    TI__Guru**** 657930 points
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    1)没错、我过去做过类似的事情、看到引线边沿尖峰稍微高一点、但由于我不想增加缓冲器、我选择了更高的 FET VDS 额定值。

    2) 2)没错、肖特基不会有反向恢复(很抱歉、在您谈论的是 STTH 系列)。 只需注意、肖特基 通常具有更高的电容、您可能还需要增加缓冲器。

    最后、我相信您的选择是可以的、这将是在工作台上进行测试的问题。