[参考译文] TIDA-01606：TIDA-01606在与 SiC MOSFET 连接的 DESAT 连接情况下经过全面测试

尊敬的 Girish：

非常感谢您关注我们的参考设计。

在这里、您可以找到我的答案：

• 齐纳二极管用于降低去饱和阈值电压。 放置3V 齐纳二极管后、新的阈值电压将为 VDS= 9V (数据表)- 3V (齐纳二极管)- 0.6V (阻断二极管)。
• SiC MOSFET 相对于 IGBT Si 具有更低的热电容。 当发生短路时、SiC MOSFET 将无法很好地处理这种情况。 设计人员需要缩短反应时间和峰值电流、以确保 SiC 器件的安全。 人为地降低漏源极电压可以是一种解决方案。
• 当受控开关关闭时、会出现阻塞二极管。 当受控开关关闭时、阻断二极管将处理直流总线电压并保持驱动器安全。
• 从理论上讲、齐纳二极管和去饱和电路的原理同样适用于 UCC21750。

我希望我能完全回答你的问题。

此致

Riccardo