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在图腾柱中、通常我们有2个 GaN FET 和2个 MOSFET。 我们能否替换两个 MOSFET、哪两个 GaN FET 可实现更快的开关动作？？
尊敬的 Mownika：
在图腾柱 PFC 中、MOSFET 充当以线路频率运行的低频整流器。 这些 MOSFET 中的主要损耗机制是导通损耗、而不是开关损耗。 效率的提高将来自于减少 Rdson 或并联放置额外的 MOSFET。 整流器位置的 GaN FET 不会带来太大的好处、因为这些开关在线路频率下开关。
此致、
本·洛夫
您好 Benjamin、
请详细说明答案吗？ 在上述答复中、您提到了 MOSFET 和 GaN 都以线路频率运行。 那么、区别是什么。
如果我们在电路中仅使用 Ganfets、会发生什么情况？
GaN FET 在开关频率下运行、但硅 MOSFET 在线路频率下运行。 硅 FET 是整流器。 使用 GaN 时、第三象限压降通常为几伏、远高于硅 MOSFET 的体二极管。 对于整流、您必须小心管理死区时间、否则、如果您将 GaN FET 用于整流器、该第三象限高电压将导致更大的导通损耗。
最终、由于 GaN 在如此低的频率下工作、因此您不会从 GaN 的开关性能改进中获益、而由于 GaN 在第三象限下工作时压降很大、因此您实际上会面临其他挑战。
