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器件型号：PMP9175 尊敬的工程师
大家好、我是 Taku。
我参考 PMP9175的电路图设计了 PoE 的电源电路。
#几乎模仿了 PMP9175的设计
现在、我检查我的原型、
然后 、在 PMP9175中对应 Q6的晶体管的 B 和 E 之间施加非常大的纹波电压。
TI 工程师 说
"R17、R18和 C16有助于控制同步 FET 的导通和关断时间。 同步 FET 必须具有非常快的关断时间、以最大限度地缩短初级 FET 和同步 FET 的导通时间、从而限制任何击穿电流。 是的、如果击穿过大、EMI 会变得更糟。 关键是使用关断时间非常短的同步 FET。 二极管 整流器的电容 会导致类似的关断电压尖峰、从而导致类似的 EMI。"
这意味 着我应该 在 检查波形时将 R17、18/C16的常量改变一个位、以防止纹波？
如果是、请告诉我 在调整时应该注意什么。
