[参考译文] PMP22504：理想的桥式二极管替代了 NMOSFET

您好、Jim、

感谢您关注 TI FET。 CSD88539ND 是一款采用 SO8封装的双路60V NFET。 CSD18541F5是采用 F5 FemtoFET 封装的单个 NFET、每个 FET 的导通电阻约为两倍。 您可以将其中的2个并联、以获得 CSD88539ND 一个通道的大致相同的导通电阻。 但是、CSD18541F5不是为高速开关而设计的、其内部串联栅极电阻典型值为1.2kOhm。 因此、FET 的开关速度要慢得多、您可能无法获得与 CSD88539ND 相同的性能。 此外、由于尺寸小、每个 FemtoFET 的最大耗散功率约为0.5W。

请查看此 技术文章 、了解 TI FET 封装可耗散的功率。 我将向 LM74610-Q1应用团队转发此主题、以获取他们的意见。

谢谢、

John

尊敬的 John：

感谢循环的理想二极管控制 器支持有关 LM74610-Q1的查询。 让我看看这一点、并在明天提供我的意见。