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器件型号：TIDA-00394 是否有针对公式2问题的更新？
肯尼思、您好！
为了使次级路径导通、Q3A 和 Q3B 都必须导通、以便建立从 VSEC 到 VOUT 的路径。 需要多长时间取决于下面显示的电压(Vx)。 PMOS 开启的基本公式为 VSG > VTH。 出于自变量考虑，为了使 Q3A 和 Q3B 导通，Vx 需要是肖特基二极管(BAS40W-05-7-F)的 VSG +(I*R6)+压降，我们假设它只是-2VTH。
RC 时间常数的电压公式为 V (t)= Vo*(1 - e^(-t/RC))。 目标是计算两个 PMOS 器件(Q3A 和 Q3B)打开所需的时间。 如果我们设置 V (t)= 2VTH、则可以求解时间(t)。 请参阅以下内容：
-2VTH = Vo*(1 - e^(-t/RC))
Vo、VTH、R 和 C 的值是多少？ Vo 是电压 VSEC*(R8/(R6+R8))或 Vx。 Vth =-2V (典型值)、见 PMOS 数据表。 R 是在 Vx 上看到并查看原理图的电阻、R =(R6||R8)。 C 是 Q3A PMOS 器件栅极的电容。 要获得 VTH 和 C、您需要查找 SI3993DV-T1-E3。 查看 PMOS 器件的数据表、3.6V VDS 下的栅极电容(Ciss)约为~240pF。 为什么是3.6V？ 次级电压为14.4V。 当一次侧电压 UVLO 设置为10.8V 时、施加二次侧电压。
计算公式并求解(t)：
T =-[(R8*R6)/(R6+R8)]*(Ciss)*(Ln (1+(2VTH/(VSEC*(R8/（R6+R8)))
T =-(249.5k)*(240pF)*(Ln (1+(2*(-2V)))/(14.4V*0.5)
T = 48.56us
我希望我已经回答了你的问题。
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