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[参考译文] PMP11257:TPS 2378的 DEN 电阻值

Guru**** 2549240 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2378, TPS2372-4EVM-006, LM76005, PMP11257, LM5145, LM5116

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/893619/pmp11257-den-resistor-value-of-tps-2378

器件型号:PMP11257
主题中讨论的其他器件:TPS2378TPS2372-4EVM-006LM76005LM5145LM5116

在此设计中(11257)、DEN 电阻似乎为27.4K、但 TPS2378的数据表中指出、TI 建议使用24.9K 的电阻。 请您澄清一下吗?

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    您好!

    此设计在前端使用半 FET 桥以提供更高的效率。  用于偏置电桥的电阻器(R3、R8等)在检测期间与 DEN 电阻器并联。  必须增大 DEN 电阻的值以考虑这种额外的并联阻抗。  将 DEN 电阻增大到27.4k 会使 PSE 看到的电阻标称值恢复到接近25k。

    如果您使用全二极管电桥、则 DEN 电阻为24.9K。

    谢谢、

    David

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    我有以下电路、POE 反馈来自 TPS2372-4EVM-006评估模块(修订版 A)、 TPS2378的 POE 来自 PMP11257、LM76005的降压转换器来自 webench。 24 VDC 适配器具有初级输出、输出为5V/4.25A。 它将为物联网摄像头供电。

    您能看一下吗?

    e2e.ti.com/.../POE--with-ADP-24-VDC-_2800_5V_2C00_4.25A_2900_.pdf

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    我有以下电路、POE 反馈来自 TPS2372-4EVM-006评估模块(修订版 A)、 TPS2378的 POE 来自 PMP11257、LM76005的降压转换器来自 webench。 24 VDC 适配器具有初级输出、输出为5V/4.25A。 它将为物联网摄像头供电。

    您能看一下吗?

    e2e.ti.com/.../4111.POE--with-ADP-24-VDC-_2800_5V_2C00_4.25A_2900_.pdf

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    Nuri、

    以下是我对电路的评论:

     LM76005的额定连续电压为60V、瞬态电压为65V。  即使 PoE 稳态电压最大为57V、瞬态电压也可能超过65V。  58V TVS 的钳位电压可高达95V。  C15将有助于吸收瞬态。  它还有助于在 C15和 CIN 之间使用电感器来阻止瞬变。  我通常使用3.3 μ H。  我认为还需要电感器来通过 EMI。  我建议使用具有较高瞬态额定值的器件。

    2. 使用适配器时,需要关闭电桥 U1和 U2。  制造商网站上提供了一份应用手册、展示了如何执行此操作。

    J7-8 上的接地应位于 L8的另一侧 L8/C16/R29连接处。

    4. 使用集成 FET 桥时、R27应为24.9K。

    5. U7引脚5不应连接到 U7引脚4和9。  U7-5应接地。  TPS2378的内部热插拔 FET 位于引脚5和4/9之间。

    6. COUTX 管脚2不应是 VSS1...it 接地。

    7。 U5引脚18 (EN)需要一个连接到 VDD 的上拉电阻器。

    8. 如果环路补偿需要 PFBT 应有并联电容器的占位符。

    9. RFBB 应为24.9K。

    10. 可能需要两个 CIN 电容器,以将纹波降低至可接受的水平,从而满足 PoE 要求并通过 EMI。

    此外、 可能需要在 C15和 CIN 之间添加电感器、以通过 EMI 并将流经 C15的纹波电流保持在其额定值范围内。  再说一次、我通常使用3.3uH 的值。  它还有助于使高频电容器(0.1uF)与 C15并联。

    谢谢、

    David

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    尊敬的 David:

    非常感谢。 您的评论已被接受。

    此致、

    努里

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    尊敬的 David:

    我无法跟踪输入电压较高且效率与 LM7005类似的器件。 由于电源输入受限、您能不能建议另一个效率相似的器件?

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    Nuri、

    要在4.25A 时获得更高的额定电压、您需要使用具有外部 FET 的控制器。  PMP11257使用 LM5116。  它具有100V 额定电压、包括稳态和瞬态电压。  LM5145还有75V 稳态额定值和105V 瞬态额定值。

    谢谢、

    David

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    尊敬的 David:

     

    我还有几个关于 PMP11257和 LM5116的问题;

    1.将24VDC 适配器与 POE TPS2378和 LM5116配合使用时、您认为我应该采用一些反极性、高电流等保护器件吗?

    在 PMP11257中、在 TPS2378之后、高侧 FET (Q5)上有一个 L3电感器(3.3uH)和4个2.2 uF 电容器。 但是、在 Webench 设计中没有这样的电感器和电容器。 请您为我澄清一下吗?

     

    谢谢、

    努里  

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    Nuri、

    1. PMP11257中的 D9在适配器输入上提供反极性保护。  它还会阻止适配器的 PoE 电压。  尽管 PMP11257上未显示、但在对 D9至 GND 阳极进行滤波后应使用58V TVS 器件(与 D11相同)。

    2. 输入端的噪声和电压纹波有两项要求。  IEEE802.3bt 规范具有四个频率范围、可实现 表145-29中列出的最大峰峰值纹波。  在此功率级别、四个电容器和电感器应将纹波峰峰值降低至符合 IEEE802.3bt 要求的水平。  此外、可能  还必须满足 CISPR32的 EMI 要求(或其他一些 EMI 规格)。  通常 需要在 PoE 和适配器输入上使用共模电感器来满足 EMI 要求。  它将被插入 PMP11257原理图上 L1/L2和 L4/L7的右侧。

    谢谢、

    David