主题中讨论的其他器件:TPS2378、 TPS2372-4EVM-006、 LM76005、 LM5145、 LM5116
在此设计中(11257)、DEN 电阻似乎为27.4K、但 TPS2378的数据表中指出、TI 建议使用24.9K 的电阻。 请您澄清一下吗?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
我有以下电路、POE 反馈来自 TPS2372-4EVM-006评估模块(修订版 A)、 TPS2378的 POE 来自 PMP11257、LM76005的降压转换器来自 webench。 24 VDC 适配器具有初级输出、输出为5V/4.25A。 它将为物联网摄像头供电。
您能看一下吗?
e2e.ti.com/.../POE--with-ADP-24-VDC-_2800_5V_2C00_4.25A_2900_.pdf
我有以下电路、POE 反馈来自 TPS2372-4EVM-006评估模块(修订版 A)、 TPS2378的 POE 来自 PMP11257、LM76005的降压转换器来自 webench。 24 VDC 适配器具有初级输出、输出为5V/4.25A。 它将为物联网摄像头供电。
您能看一下吗?
e2e.ti.com/.../4111.POE--with-ADP-24-VDC-_2800_5V_2C00_4.25A_2900_.pdf
Nuri、
以下是我对电路的评论:
LM76005的额定连续电压为60V、瞬态电压为65V。 即使 PoE 稳态电压最大为57V、瞬态电压也可能超过65V。 58V TVS 的钳位电压可高达95V。 C15将有助于吸收瞬态。 它还有助于在 C15和 CIN 之间使用电感器来阻止瞬变。 我通常使用3.3 μ H。 我认为还需要电感器来通过 EMI。 我建议使用具有较高瞬态额定值的器件。
2. 使用适配器时,需要关闭电桥 U1和 U2。 制造商网站上提供了一份应用手册、展示了如何执行此操作。
J7-8 上的接地应位于 L8的另一侧 L8/C16/R29连接处。
4. 使用集成 FET 桥时、R27应为24.9K。
5. U7引脚5不应连接到 U7引脚4和9。 U7-5应接地。 TPS2378的内部热插拔 FET 位于引脚5和4/9之间。
6. COUTX 管脚2不应是 VSS1...it 接地。
7。 U5引脚18 (EN)需要一个连接到 VDD 的上拉电阻器。
8. 如果环路补偿需要 PFBT 应有并联电容器的占位符。
9. RFBB 应为24.9K。
10. 可能需要两个 CIN 电容器,以将纹波降低至可接受的水平,从而满足 PoE 要求并通过 EMI。
此外、 可能需要在 C15和 CIN 之间添加电感器、以通过 EMI 并将流经 C15的纹波电流保持在其额定值范围内。 再说一次、我通常使用3.3uH 的值。 它还有助于使高频电容器(0.1uF)与 C15并联。
谢谢、
David
尊敬的 David:
我还有几个关于 PMP11257和 LM5116的问题;
1.将24VDC 适配器与 POE TPS2378和 LM5116配合使用时、您认为我应该采用一些反极性、高电流等保护器件吗?
在 PMP11257中、在 TPS2378之后、高侧 FET (Q5)上有一个 L3电感器(3.3uH)和4个2.2 uF 电容器。 但是、在 Webench 设计中没有这样的电感器和电容器。 请您为我澄清一下吗?
谢谢、
努里
Nuri、
1. PMP11257中的 D9在适配器输入上提供反极性保护。 它还会阻止适配器的 PoE 电压。 尽管 PMP11257上未显示、但在对 D9至 GND 阳极进行滤波后应使用58V TVS 器件(与 D11相同)。
2. 输入端的噪声和电压纹波有两项要求。 IEEE802.3bt 规范具有四个频率范围、可实现 表145-29中列出的最大峰峰值纹波。 在此功率级别、四个电容器和电感器应将纹波峰峰值降低至符合 IEEE802.3bt 要求的水平。 此外、可能 还必须满足 CISPR32的 EMI 要求(或其他一些 EMI 规格)。 通常 需要在 PoE 和适配器输入上使用共模电感器来满足 EMI 要求。 它将被插入 PMP11257原理图上 L1/L2和 L4/L7的右侧。
谢谢、
David