[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM3410：LM3410

您好 Ilya、

我想为我的应用并联2个或3个 LED 单元。为此、我决定 LED 驱动器应该为 LED 提供高达1A 的电流、然后我选择- LM3410、LM3410-Q1。

LM3410是 不是我的 LED 照明解决方案？  您说的是每个 LED 1A 还是总输出电流1A？  LM3410的峰值电流限制为2.1A、可用于设计。  2.85V 输出下的1A 电流将与 LM3410配合使用

很遗憾、我不清楚 LM3410 和 LM3410-Q1之间有何不同。  -Q1是汽车级。

在开始设计之前、请先购买您的 EVB - LM3410XSDSEPEV、 因为它可以提供320mA 的电流。

a.我能否使用 R1的值来增大 LED 电流并获得500mA 的电流？  如果 LED 发生变化、电感器可以处理电流、则很可能是可以的、最好通过设计计算来验证更高的电流。

在 LM3410 和 LM3410-Q1的数据表中、 第8.2.8节 LM3410X WSON： 升压闪存应用

 您未使用 LM3410XSDSEPEV (已连接)中使用的附加指示灯 L2。  

您的输入电压为3.8V，输出电压为2.85+/-°C。  升压应用适用于 LED 正向电压高于输入电压的情况。  如果您选择将 LED 串联、则可以使用升压电路。  EVM LM3410XSDSEPEV 是一款 SEPIC 转换器。  它允许输入电压高于和低于 LED 电压。  如果您的 LED 电压始终低于您的输入电压(增加了电流感应压降和其他压降)、您可以使用 LM3405。  这取决于 Vin 相对于 VLED 的高电平有多低(包括工作温度在内的所有容差)。

因此、如果您将 LED 串联放置、则可以使用升压配置。

如果您的输入电压可以高于和低于 VLED、则 SEPIC 是您的理想选择

如果您的输入电压始终高于 VLED (带裕量)、则可以使用 LM3405。

这取决于输出功率是多少、所有 LED 的 VLED 和 ILED 总数。

此致、

你好

感谢您的清晰解释、很遗憾我没有使用 LED 驱动器的经验、您的清晰答案非常有帮助！！！  

1.为了使私归被误解：

您在 LM3410XSDSEPEV 中添加了额外的指示器 L2、因为 Vout 可能比 Vin 低、是吗？

2.因为我购买 了 LM3410XSDSEPEV (我认为我在选择 EVB 时出错了，因为在我的解决方案中，串行连接中有两个或三个 LED (请参阅连接架构)。 更适合我需要的购买 LM3410XBSTOVPEV)

请指导我、 为了 连接两 个串行 LED、LM3410XSDSEPEV 上应该进行哪些更改。 每个 LED VF = 2.85 +/- 0.15V。

我是否需要从 LM3410XSDSEPEV 中删除 L2和 C3？

3.您能不能帮助我解决方案的架构(即使用铅笔绘图也会有所帮助、我对您的大多数选项有点困惑)。

我的 Vin=3.8V (这是来自 DC/DC)、LED：Vf=2.85 +/- 0.15V。 ILEed = 400mA

我附加的架构图是否正确？

4.

5.为了了解 LED 驱动器的工作原理，我能说：

Vout 等于 LED 上的压降= Vf？

流经 LED 的电流为-> ILEed = VFB/R1？ Ileds 取决于 R1值？

6.遗憾的是，我不明白，如果我要使用三个 LED (Vf=2.85)或两个 LED，组件值：L1、D、R1有何不同？ 我需要通过两个或三个 LED 的电流恒定为400mA。

VOUT = 2.85+2.85+2.85=8.55V 不是计算的一部分、我想我缺少什么、这是什么？

谢谢你

Ilya

您好 Ilya、

如果您要修改 SEPIC 以作为升压运行、则必须使其看起来像 BST 原理图。  额外的电感器和电容器适用于 SEPIC 设计、其工作方式不同于升压设计。  SEPIC 的电压可能高于或低于输入电压。  这是一个更复杂的设计。  如果您可以将 LED 负载排列为串联、以便 Vout 始终高于 Vin、则您需要使用升压。  请注意、如果使用升压转换器并在输出端放置一个 LED、则可能会损坏电路。  如果您看一下升压原理图、Vin 会进入电感器、那么二极管会导致升压输出短路、这是 Vin 的二极管压降短路。  如果您将 SEPIC 转换为升压转换器、请确保不要尝试使用单个 LED 为电路板供电。  要更改为升压、请移除 L2并短接 C3、然后移除 HB/OLED。  另外、在为电路板加电时、确保至少两个或三个 LED 串联、因为它没有 OVP、可能会损坏电路。  数据表显示了一个 OVP 电路、可在需要添加时防止 LED 灯串开路。

您的原理图正确、输出端始终至少有两个 LED。  此外、在上电之前、您可能需要使用实验室电源来验证您的 LED 是否接线正确、并且正向电压高于您将施加的输入。

输出电流为0.19V/R1、R1应为0.475欧姆、电流为400mA、您可以将 R1设置得更高、以便首次测试时保持较低的电流。  如果您保留现有值、它将提供285mA。

LED 的 Vf 是指定电流下的正向电压、对于此 LED、通常为2.85V、电流为350mA。  在400mA 时、它将大致相同。  如果您查看数据表、则会看到 Vf 与电流间的关系曲线。  在100mA 时、VF 典型值为2.65V。

Vout 等于 LED 上的压降= Vf？   是的

流经 LED 的电流为-> ILEed = VFB/R1？ Ileds 取决于 R1值？   是的

LM3410调节电流、因此添加另一个 LED 将保持电流调节不变、输入功率将会上升、因为输出功率已上升50%(三个 LED 与两个 LED)

VF 两个 LED 为2.85 X 2 = 5.7V、VF 三个 LED 为8.55V、输出功率两个 LED 为5.7V x 0.4A = 2.28W、输出功率三个 LED 为8.55V * 0.4A = 3.42W。

此致、

您好、Irwin

感谢您的清晰说明、我对 LM3410XSDSEPEV 进行了所有更改-我删除了 L2、短接了 C3、移除了 HB/OLED 并组装了我的 LED、工作得很好。 在我的最后一个架构中、我将添加 OVP 电路。

正如您所知、由于您的清楚说明和支持、我将使用 LM3410 而不是 FAN5333ASX。

最后一个问题：

1. 您有三种封装- WSON、SOT-23…… 你有什么建议？
2. 您有两种类型的切换- 1600khz 和525KHz，哪一种最适合我？ 我将使用- 400mA-600mA、持续一秒
3. 您写入-如果我有2个 LED = 2.28W、3个 LED = 3.42W、我将使用一个 LED 作为图片的闪存。 为什么这个数字(power)对我很重要？ LED 应该具有较大的散热空间，或者这会对 LM3410产生影响 ？

谢谢你

Ilya

您好 Ilya、

MSOP 最容易散热以实现更大的功率耗散、WSON 介于之间、SOT-23可能是布局最简单的、但功率耗散受限。  见第4页底部的表6.4。  如果这是一个脉冲电流为400mA 的闪存应用、您可能可以使用 SOT-23。

1.6 MHz 或525 KHz 取决于您希望设计执行的操作。  如果需要较小、1.6MHz 将允许使用物理尺寸较小的电感器。  525 KHz 可能更高效、但很可能更大。

我刚才计算了两个和三个 LED 在400mA 时的功率、 在使用闪存时、最坏情况下的占空比是多少？  最长导通时间和最短关断时间？

此致、

您好、Irwin、

关于您的问题：占空比和最长导通时间。 抱歉、这是我第一次使用"闪存"解决方案、我认为导通时间不会超过一秒、并且喜欢这三次(我们希望一张一张一张照)。 如果您有任何意见或建议、我很乐意获得。 )

关于开关- 我决定使用 LM3410XMFE/NOPB (SOT-23和1600khz)和实现 电感器 P/N：SLF6028T-100M1R3-PF

10uH、1.8A、 63.8m Ω、外壳- 2424。

我仍然不知道两个或三个具有400mA 电流的 LED、 或者、我可能需要700mA -(确定这将是最终解决方案) Th 要求是-照亮6m 范围-所述电感器10uH 和 LM3410外壳 SOT23对我来说是好解决方案吗？

此致

Ilya

您好 Ilya、

它应该在400mA 时工作正常、在700mA 时电流将更高、并且所选的电感器可能仍然工作、您可以始终转到同一系列中的4.7uH。  电感器中三个电流为400mA 的 LED 将接近1A、因为这是一个闪存应用温度上升、即使在700mA 时也可能不是一个问题。

电流纹波相当低、电流为10uH、因此您只需尝试4.7uH 即可开始。

此致、

您好、Irwin

很抱歉，如果我问了很多问题，我想向专业人士学习：)

请向我解释一下、为什么10uA 的纹波相当低、而4.7uA 的纹波是相当低的？

为什么建议从4.7 μ F 开始？ (我知道我需要尽可能降低输出纹波、这就是我选择10uA 的原因。 我是对的吗？ )。

什么是优势和劣势？

谢谢你。

您好 Ilya、

请注意、在使用60%占空比进行计算时、MOSFET 处于导通状态(无电流进入输出端)、MOSFET 处于关断状态且电感器从 Vin 向负载提供电流时、占空比为40%。

在升压转换器中、输出电流是不连续的、输入电流是连续的。  MOSFET 会导通并为电感器充电。  MOSFET 关断并馈送来自 Vin 的负载。  由于不连续、两个电感器的输出电流纹波将大致相同。  唯一的区别是电感器电流充电和放电的斜率。  V = L *(di/dt)。  初级侧上三个 LED 的占空比约为60%。  1.6MHz 时，MOSFET 导通时间为(1/1.6MHz)*0.6=375ns。  di =(V/L)* dt =(3.8V/10uH)* 375ns =电感器中的峰值纹波142mA (对于10uH)、在4.7uH 时、纹波峰值变为303mA。  这在大约1A 方波上。  占空比为40%时的输出电流为400mA (次级导通时间)、这意味着 MOSFET 关断时间内、在40%占空比时、流入负载的电感器电源电流的平均电流变为400mA/0.4 = 1A。  电感器纹波会将该形状更改为大部分斜坡位于顶部的方波。  峰值电流为1A + 303 mA/2、次级侧导通结束时斜降至1A - 303 mA/2、4.7 μ H 电流为1.152A 降至0.848A。  该波形的均方根电流基本上与占空比为40%时的1A 方波大致相同、因此这是低纹波。  对于10uH、峰值变为1.071A、并在40%占空比下降至0.929A。  4.7 μ H、10 μ H 和无限"L"(方波)的 RMS 电流的计算方法大致相同。

此致、

由于升压转换器的输出纹波不连续、因此这些值电感器的输出纹波非常小。