[参考译文] TIDA-01605：短路检测和两级关断电路

谢谢 Ameesh、

是的。 由于 SiC 在高 dv/dt 和 di/dt 下更快、因此您可能需要使用较大的外部 Rg 来降低它们的速度、或在 MOSFET 的输出到栅极之间插入铁氧体磁珠。

Wei

Aneesh、

尽管它取决于功率级别、但米勒钳位、过流检测、负关断偏置等保护特性对于 SiC 而言非常重要。

松开或降低我提到的功能要求的一种方法是、正如您刚才所说的、将栅极电阻器推高以降低开关速度。 但这无法解决所有问题

正如您所说、SiC 的开关速度非常快、在设计中利用这一特性来提高效率非常重要。 如果不对 SiC 使用任何保护功能、它可以限制设计并消除 SiC 为系统提供的优势。

如果可以、我建议查看我们的一位同事提交的一份出色的报告、该报告链接如下、该报告按主题逐一介绍、并说明保护功能对 SiC 的重要性以及这些功能可防止的后果。

• 《驱动 SiC/IGBT 的基础知识》

希望这能解答您的问题、如果有、请通过按下绿色按钮告知我。 如果您有其他问题、请告知我们。

最好

Dimitri

Aneesh、

[引用 user="Aneesh TS"]1. 相同的栅极驱动器电路 TIDA-01605 也可用于 GaN？ 或驱动 GaN 所需的电路中的任何变化？[/quot]

TIDA-01605不能用于驱动 GaN。

有多种类型的 GaN -什么类型的 GaN 器件、即使您有器件型号、您也计划驾驶哪种类型的 GaN 器件？

[引用 user="Aneesh TS"]2. 您能否建议使用一个碳化硅驱动器来驱动具有 DESAT 检测和保护电路的高侧和低侧驱动器 ROM TI？[/quot]

目前、我们没有具有集成过流/ DESAT 检测功能的双通道驱动器。

虽然这些特性/可/可由外部电路实现、但这种特性无法实现使用双通道驱动器的目的。 这样做实际上比使用单通道驱动器增加了更多的成本、PCB 面积和开发时间、并且集成了这些功能、并且在使用双通道驱动器时存在其他限制。

相反、当您需要 DESAT 和其他保护功能(例如软关断、米勒钳位等)时、我建议使用2个单通道驱动器来驱动高低侧 我们有许多资源可帮助您使用这些产品进行设计、当然、我们将始终能够在 E2E 上提供支持。

我建议查看 UCC21750和 ISO5852S (或 ISO5452)、它们应能满足您的需求。 它们都具有 STO、DESAT、米勒钳位特性。

下面按功能集提供系列的基本比较。 简而言之、UCC217xx 具有 ISO5x5x 所不具备的保护特性、无需外部电流缓冲器电路即可支持更高的驱动电流。

UCC217xx

• +/- 10A 驱动强度
• 隔离式模拟感应(APWM)
• DESAT 或 OC 检测(OC 也可用作 DESAT、非常灵活)
• 软关断(具有软关断功能的2LTO 也是一个选项)
• 集成米勒钳位(外部米勒钳位控制引脚也可选)

ISO5x5x：

• 单路或双路输出
• +2.5/-5A 驱动强度
• 集成米勒钳位
• STO 仅适用于双通道器件(ISO5852S 和 ISO5452)

如果您有任何疑问、请告诉我。

最好

Dimitri

您好、Dimitri、

感谢您的宝贵意见。这解决了我的问题。

此致

Aneesh