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您好!
我想知道何时放置 肖特基二极管与激光二极管并联、如何 保证激光二极管的快速关断速度。因为当 GaN 关断时 、肖特基二极管导通、LD 上施加的电压非常小、因此我认为 LD 可能无法快速关断。
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我想知道何时放置 肖特基二极管与激光二极管并联、如何 保证激光二极管的快速关断速度。因为当 GaN 关断时 、肖特基二极管导通、LD 上施加的电压非常小、因此我认为 LD 可能无法快速关断。
您好、用户:
感谢您提出有关 LMG1020和 TIDA-01573的问题、欢迎使用 e2e!
可以添加一个反并联二极管来钳制 FET 的漏极电压到电源、以便当 FET 关断时、流入存储的寄生电感中的高峰值电流有一定的上升时间、不会导致 FET 漏极过压。 反并联二极管有助于延长激光上升和下降时间以及 FET 过冲和降低效率。 为了在使用反并联二极管时尽可能缩短导通时间、二极管电容需要相对于激光二极管电容而言较小、因为在导通期间需要对其充电。 为了在使用反并联二极管时尽可能缩短关断时间、 确保布局的寄生电感和二极管引线相对于激光器的寄生电感更小且尽可能接近、以便在关断期间的大多数激光电流都将流经二极管而不会流入 FET 的漏极。 为了缩短激光二极管的下降时间、还应确保激光二极管的引线尽可能短、并且您的示波器/探头可以实现 GHz 高频测量。 这是否有助于回答您的问题? 有关这方面的更多详细信息、请参阅 TIDA-01573 http://www.ti.com/lit/ug/tidue52/tidue52.pdf 的第2.2.7节
如果您有任何疑问、请告诉我、
谢谢、
您好 Jeffrey、
感谢 您的回答。我能理解您在下面的回答吗? 如果 LD 的寄生电感不是很小、例如1nH、并且我希望在峰值电流50A 时在2ns 内关闭 LD。 我可以很容易地知道、LD 上应该施加25V 的电压。 但由于存在钳位二极管、因此无法实现、因为钳位导体的正向压降非常小。因此、如果我想使用 TIDA-01573来驱动 LD、必须 严格选择 LD 的寄生电感。 因此、TIDA-01573的使用方式不 适合 具有较小寄生电感的 LD、因此不常见。 我是对的吗? 期待您的回复。
您好、用户:
感谢您的回复、
这是正确的 L*di/dt 告诉您,在2ns 关断期间,1nH LD 上会出现25V 压降。 钳位应将其限制为5或10V。 为了达到50A 的峰值电流、LD 应具有较小的电感。 SMD LD 将有助于降低电感。 如果使用2端子引线式 LD、请确保 LD 引线较小以降低电感。 建议使用3端子 LD 来使用 TIDA 第2.2.5节中描述的分离电源平面。 请告诉我这是否合理并回答您的问题?
谢谢、