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[参考译文] TIDA-00364:5W 驱动所需的并联 MOSFET 数量

Guru**** 2386340 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KCS, CSD19535KCS, TIDA-00364
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https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/836055/tida-00364-number-of-parallel-mosfets-required-for-5w-drive

器件型号:TIDA-00364
主题中讨论的其他器件:CSD19536KCSCSD19535KCS

您好!

我目前正在研发48V、5kW PMSM 电机逆变器驱动器。  

我正在尝试使用穿孔 MOSFET 实现相同的系统。 现在、我们正在考虑 使用 CSD19535KCS、CSD19536KCS 器件进行硬件实现。

如果我们考虑 使用 CSD19535KCS 器件、它可以承载(根据数据表) 133A 的连续电流。 我们的要求是连续电流为133A,过载电流为250A,持续2分钟,开关频率为20kHz。  

为此、我们计划并联使用3个 MOSFET。  

在此配置中、每个 FET 的导通损耗为3.53W (RDS_ON:3.6m Ω)、开关损耗为10.64W (上升和下降时间假设为100ns)。 因此、逆变器总功率损耗约为255W。  

结温为76.34摄氏度、以 保持65摄氏度的内部空气温度。

但在应用手册中、我可以看到 5kW 逆变器系统使用了5个并联 MOSFET (额定电流为200A)。 我是否可以知道您如何为此应用选择并联 MOSFET 的数量?  

对于我们的规格、3个并联 MOSFET 是否足以实现最佳运行?

尽早查找答复。

谢谢、此致、

Kalyanraj D

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kalyanraj、

    感谢您关注 TI FET。 我没有参与 TIDA-00364的设计、也不知道是什么促使决定了 FET 的数量。 通常、FET 在正常运行期间和故障条件下的效率/功率损耗和最高结温等性能目标将决定应用所需的 FET 数量。 其中很大一部分是 FET 的冷却方式。 对于 TO220封装中的通孔 FET、通常通过将其连接到散热器或机箱来提供导电冷却。 我将把这个信息发送给从事 TIDA-00364设计的团队、以获取他们的意见。

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    尊敬的 John:

    感谢快速响应和参与我的问题。

    是的、您回答正确。 我们计划将 MOSFET 连接到机箱以实现自然冷却。  

    在过载条件(250A)下、每个 FET 的导通损耗为12.5W (RDS_ON:3.6m Ω)、开关损耗为20W (上升和下降时间假设为100ns)。 因此、总逆变器功率损耗约为585W、结温约为91度。

    我正在等待您的设计团队的回复。

    再次感谢您对我的查询表现出的兴趣。

    此致、

    Kalyanraj D

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    您好 Kalyanraj、

    我知道系统要求是连续电流为133A、过流为250A 2分钟。 系统工作的最高环境温度是多少? 此外、请提供一些有关散热系统-散热器/底盘的热阻的信息。 您提到了自然冷却-这是否意味着没有强制空气或液体冷却?

    FET 可以处理的最大电流和所需的并联 FET 数量在很大程度上取决于冷却系统和最高环境温度要求。 此外、请注意、RDS_ON 会随着结温的升高而增加、因此随着器件结温的升高、传导损耗会更高。

    此致
    Siva