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尊敬的 TI 专家:
当我们为栅极驱动器设计外部电源时、我们需要确定电源的最大电流输出。
对于 TIDA-00778、 栅极驱动器的15V 电源电流为50mA (最大值)、如第11页的表2所示。
但在第1.4.3.1节中、我们可以找到 I_HO_DR=1.47A 和 I_LO_DR=1.53A。
那么、您能否向我展示如何确定50mA (最大值)、如第11页的表2所示。
期待收到您的回复~
祝你一切顺利、
唐汉
电源
对于 TIDA-00472、 栅极驱动器的15V 电源电流也是50mA (最大值)、如第2页的表1所示。
但在第4.3.1节中、我们可以找到 I_HO_DR=1.05A 和 I_LO_DR=1.09A。
尊敬的 Michael:
感谢您的友好和即时回复。
没关系~我将耐心等待。
祝你一切顺利、
唐汉
唐英年、您好!
感谢您的耐心等待。
TIDA-00778的第1.4.3.1节介绍了峰值电流要求。 1.47A、1.53A 是更快地导通外部 MOSFET/IGBT 所需的所有峰值源电流、而导通 MOSFET/IGBT 的时间通常小于1us。 一旦 IGBT 导通、栅极电流要求就会降至极小(通常为几微安)以提供泄漏电流。 请参阅 TIDA-00778设计文档的图33 - 35以查看栅极电流波形。 这意味着与峰值电流1.53A 相比、栅极驱动器的平均电流要求非常小。
如果 Qg = 270nC 的 IGBT 在 fsw = 20kHz 时开关、则导通 IGBT 所需的近似平均电流= Qg x fsw = 270nC x 20kHz = 5.4mA。
由于我们有六个 IGBT、因此驱动所有六个 IGBT 的平均电流= 5.4mA x 6 = 32.4mA。
在该设计中、假设最大电流为50mA。 1.47A、1.53A 的峰值电流将与栅极驱动器的去耦电容器和自举电容器一起提供、并且这些电容器的大小应按照设计文档中的说明进行适当调整。
对于梯形控制、IGBT 仅在120度(总周期的1/3)期间进行开关、平均电流甚至会低于上述计算值。
希望这澄清了您的问题。
谢谢、
制造商
尊敬的 Manu:
我非常感谢您的友好、经验丰富、专业的回复。
你真的教了我很多! ^_^
"1.47A、1.53A 是更快地导通外部 MOSFET/IGBT 所需的所有峰值源电流、而导通 MOSFET/IGBT 所需的时间通常小于1us。"
我很想知道如何确定值1.47A 和1.53A。 有没有公式? 知道这些值后、我们可以确定栅极驱动器电路中的这些电阻器值、对吧?
在 TIDA-00472中、相应的值为1.05A 和1.09A。
您能否向我们展示如何确定 峰值拉电流?
祝你一切顺利!
唐汉
唐英年、您好!
计算峰值栅极电流的设计取决于 MOSFET/IGBT 总栅极电荷以及我们打开 MOSFET/IGBT 所需的速度。 通常、 为了最大限度地降低开关损耗、我们需要通过提供最大峰值栅极电流来快速切换 MOSFET/IGBT。 但是、开关速度较快有一些实际问题、例如由于 PCB 寄生效应、二极管反向恢复较高、EMI 问题等原因导致相位节点上的电压过冲
在设计过程中、我们从大约峰值电流值开始、具体取决于 MOSFET/IGBT 栅极电荷和 FET/IGBT 所需的导通时间(例如:200ns)。 然后在电路板测试期间、调整峰值栅极电流值(通过调整栅极电阻器)、以优化开关损耗、相位节点电压过冲/振铃、二极管反向恢复、EMI 等
如需了解更多信息、请参阅以下文档和培训。
http://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf
https://training.ti.com/battery-powered-motor-drives-power-stage-design
此致、
制造商
尊敬的 Manu:
非常感谢您的详细解释和向我介绍宝贵的材料。 您对我们很友好。
您提到过、"将使用栅极驱动器的去耦电容器和自举电容器提供1.47A、1.53A 的峰值电流"。 对于 UCC27714、它具有4A 灌电流和4A 拉电流。 因此峰值电流(1.47A、1.53A)必须小于4A、对吧? 因此、栅极驱动器芯片的选择也很重要、对吧?
另一方面 、如果我们对功率 MOSFET (如 TIDA-00364)进行并联操作、 在 TIDA-00778中使用相同的栅极驱动器电路时、如果 并联 MOSFET 的数量为3、我们应该增大 自举电容器的尺寸、对吧? 它可能会导致开关速度慢、这意味着 PMSM 电机控制中的旋转速度慢、对吧?
祝你~
唐汉
唐英年、您好!
请在下面查找我对您问题的评论
1.您对栅极驱动器选择的理解是正确的。 峰值栅极电流(1.47A/1.53A)应小于栅极驱动器的额定峰值电流 (UCC27714为4A)
2.当您并联 FET 时,请在设计自举电容器时考虑总栅极电荷(所有3个并联 FET 的栅极电荷)。 开关速度取决于每个 FET 设计的栅极电流大小。 它与您的电机转速无关。 您的电机速度主要取决于您运行的占空比。 当您非常缓慢地切换时、有效占空比可能会降低一点、并且速度会非常小、这一点可能不明显。
我希望这能澄清你的问题。 如果是、请单击"已解决"。 如果您有更多问题、请继续并打开一个新主题。
谢谢、
制造商
尊敬的 Manu:
您的回答确实澄清了我的问题。 您是如此的了解和专业。
我可以再问您一条指南吗?
我发现"串联"的功率 MOSFET 可以提高功率 MOSFET 的 VDS 限制。 但是、TI 似乎只提供 "并联" MOSFET 的实用参考设计、对吧?
您能否向我展示一些使用 MOSFET "串联"或相关教学材料的实用参考设计?
如果我打开一个新的主题、恐怕您将无法回答该问题。 因此,我必须在这里提出这个问题。
无论您的回答如何、我都会单击"Resolved"(已解决)并对您表示感谢。
^_^
祝你一切顺利!
唐汉
唐英年、您好!
您可以查看参考设计 TIDA-00173、它显示了反激式电源中 MOSFET 的串联连接。
对于新主题、如果您有与 TIDA-00778相关的问题、我将能够回答。
谢谢、
制造商
尊敬的 Manu:
我不能再要求您的帮助了。
我很~麻烦你
祝你一切顺利!
唐汉
唐英年、您好!
这可能是系统中的干扰。 TIDA-00173页面现已提供所有文档。
谢谢、
制造商
尊敬的 Manu:
很高兴听到它已被解决。
谢谢、
制造商
感谢您的确认。
祝你一切顺利、
制造商