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[参考译文] TIDA-00951:TIDA-00951操作方法查询

Guru**** 2611705 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/812816/tida-00951-tida-00951-operation-method-inquiry

器件型号:TIDA-00951

TIDA-00951对于设计板有一些问题。
HV 侧 FET 被描述为全桥驱动。
但是、在充电模式下、FET 没有工作波形。
是相移吗?
还是传统的硬开关?
LV 侧 FET 是否采用同步整流?

这是 Trans 的中心抽头问题。
在电路图中、它连接到 Trans 初级侧的中心抽头和电容器中心。 它的作用是什么?
或者有哪些好处?

以下是有关升压模式工作的一些问题:冷启动。
如果 HV 电容器始终保持高于350V 的电压、我能否移除冷启动电路?

感谢你的帮助。

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    您好、Bea

    很抱歉、我现在是商务旅行。

    今天晚上、我将检查您的问题、谢谢。

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    我要等...

    谢谢你。

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    大家好、裴秀敏

    我不知道"无工作波形"是什么意思。 测试地点、哪个信号?  

    我认为您可以使用此拓扑进行一些仿真、您可以参考设计指南来研究电路运行过程。  http://www.ti.com/lit/ug/tidud04/tidud04.pdf

    最后、我想您可以移除冷启动电路。

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    你好

    感谢您的回复。
    我认为我的询问不够详细。

    请再次查看我的进一步问题。


    1) 1)从 TIDA-00951中、我找不到有关 HV 侧 FET 运行的波形。
    我能否通过图3在充电模式下获得 Q7~Q9运行的"波形数据"。
    如果您没有此波形数据、您能向我解释一下"高压侧的 FET 运行"吗?


    2) 2)另一个问题是图3中 T1的中心抽头的作用。
    TIDA-00951说明了全桥方法。
    我想知道为什么 T1的中心抽头连接到 C1、C2中心...


    感谢您提前回复。

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    您好!

    对于问题:

    1) 1) 充电器模式下的 TIDA-00951作为硬开关全桥运行。 设计指南中的图17显示了此操作。

    2) 2)中心抽头适用于需要+200V 和-200V 电源轨的应用(例如半桥逆变器)。 这还允许对变压器进行适当修改、从而为230V 输出半桥逆变器应用提供+400和-400V 电源轨。

    此致、

    RAM

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    感谢您的回复。

    我还有一个关于你的答复的问题。

    我知道充电器模式下的 TIDA-00951可作为全桥运行。
    那么、这意味着在 TIDA-00951中没有用作半桥的情况、我是否可以理解中心抽头不需要相应地进行连接?
    否则、是否有特定的部分作为半桥运行?

    谢谢!

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    您好!

    是的。 如果您要在此板的输出端连接半桥逆变器、则只需连接中心抽头。 否则、您可以断开中心抽头。

    此致、

    RAM

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    感谢您重放~

    祝你度过美好的一周!

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    您好 RAM、

    我想知道、如果充电器处于硬开关模式、如何实现 ZVS? 如果您可以详细介绍降压模式、这将非常有帮助。 是否有任何相关的设计说明? 如何控制电流? 是峰值电流吗? 请详细说明。

    谢谢你  

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    大家好、裴爱

    我已经用 RAM 检查过这个、对于充电模式、它的运行只是全桥 PWM;

    高电压侧是硬开关、因此它是非 ZVS;低电压侧在 SR 模式下工作、 它是 ZVS。

    希望它能解决您的问题。 谢谢。

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    感谢您的回答。 低压侧的栅极信号是如何在降压模式下导出的? MOSFET 是否导通? SR 模式如何工作?

    感谢提供更多详细信息。

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    大家好、Madhu

    您可以参阅设计指南中的图17。

    如所示、它在硬开关 PWM 模式下工作、LV 侧 MOSFET 可被视为二极管。

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    您好、再说一次、

    感谢您的回答。 当您说 SR 模式时、我假设 LV 侧为同步整流。 那么、您是否希望关闭 MOSFET 并仅使用二极管? 请确认。 如果不是这样、如何为 LV 侧以 HV 侧为基准生成栅极?

    此致、

     

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    大家好、Madhu

    LV 侧不仅使用二极管、还会将栅极驱动为高电平、以减少 MOSFET 二极管的传导损耗。