[参考译文] TIDA-010054：次级侧单桥臂的底部 MOSFET 发生故障

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https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1173110/tida-010054-bottom-mosfet-of-single-leg-on-secondary-side-failing

器件型号：TIDA-010054
主题中讨论的其他器件： TMS320F280025C、 UCC21530

大家好、

我们正在开发1kW 双有源电桥转换器。在闭环单相位移电压控制期间、次级侧第一个桥臂的下侧 MOSFET 会损坏(漏源短路)。在分析时、我们在跳闸区域保护设置中观察到过流跳闸。此故障通常在负载瞬态变化期间发生。提供的死区时间为400ns、在查看栅源波形后足够。您能给我们解决这个问题吗？连接下面的原理图。 MOSFET Q6发生故障。

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2457760 points

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您好 Pranav、

感谢您的联系。我不熟悉这个问题、因此我需要更多信息：

您是否使用 TIDA-010054的 C2000固件的修改版本？
您使用的是哪种 MOSFET？
L1是唯一使用的泄漏电感器、还是在初级侧有另一个电感器？
什么是初级侧电压、T1的匝数比是多少？
此设计中使用了什么开关频率？

关于栅极驱动器电路、我无法评论、因为这不是 TI 器件、我也不熟悉它。
我可以建议更换 TI 器件、我们可以在其中提供设计指导。

此致、
Andreas

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2457760 points

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尊敬的 Andreas：

1) 1)我们使用自己的固件、该固件在松散基础上基于 TIDA-010054的 C2000固件。我们将 TMS320F280025C 微控制器用于此应用。

2) 2)我们使用 Infineon 的 Si MOSFET、器件型号如下：IPP030N10N3G。

3) 3) L1是唯一使用的泄漏电感器。没有初级漏电感器。其值为2.2uH。该电感器对我们来说工作良好、并按预期工作。

4) 4)额定初级侧电压为400V、匝数比为28：5。

5) 5)开关频率为100kHz。

栅极驱动器与 TIDA-010054中使用的栅极驱动器非常相似。 Infineon 为 UCC21530制作了引脚对引脚替代 IC。

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2457760 points

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您好 Pranav、

感谢您的反馈。

我的第一个想法是、Q6可能会在瞬态事件期间因高电流而受损。您是否通过测量检查了 Q6的电流？
在瞬态事件期间、可能会发生控制环路施加全相移的情况、这会导致暂时的高电流。
在这种情况下、可以限制最大相移、从而限制电流。

我要注意的另一点是、理想匝数比等于电压比、因此 N1/N2 = V1/V2。根据您的原理图、我假设输出电压为48V、这将导致 N1/N2 = 8.333。在该导通中、ZVS 范围最大化。随着匝数比的增加、泄漏电感本身也会增加、这会再次限制最大电流。

此致、

Andreas

仿真、硬件和系统设计工具（参考译文帖）

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[参考译文] TIDA-010054：次级侧单桥臂的底部 MOSFET 发生故障