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[参考译文] TIDA-01093:MOSFET FDB2614具有高 Rdson 和放大器;漏极电流仅高达35A

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-01093, BQ76940, BQ76930, BQ76930EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/829240/tida-01093-mosfet-fdb2614-is-with-high-rdson-drain-current-up-to-35-a-only

器件型号:TIDA-01093
主题中讨论的其他器件: BQ76940BQ76930BQ76930EVM

尊敬的所有人:

TIDA-01093原理图,具有低漏极电流 MOSFET 和高 Rdson,我能否用其他 MOSFET 替换它,使用高漏极电流 MOSFET 和低 Rdson,而无需修改其驱动器电路?

此外,如果我计划在电流设计中为充电路径安装10个 MOSFET,为放电路径安装10个 MOSFET,而不是为每个路径安装3个 MOSFET,该怎么办? 我是否需要更改驱动器电路?  

我还想安装 MOSFET、其规格如下:-

1) 漏极电流100A。

2) RDSon 3m Ω。

3) VGS th 最小4V  

我通过 MOSFET 放电路径的连续电流为100A,因为我并行使用10个 MOSFET,每个 MOSFET 仅使用10A 电流,这也有助于调节 MOSFET 的温度。

Rohit

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    您好、Rohit、

    通常、 当在 VDS 额定值上升时寻找 MOSFET 时、Rdson 也上升、电流能力下降。 电路中可使用不同的 MOSFET。  BQ76940具有电阻驱动器、导通(上拉)电阻约为5k、数据表中显示了关断。  然而、TIDA-01093驱动器电路使用 BQ76940 FET 驱动输出来传输信号、通过 设计指南第2.1节中描述的加速关断电路来实现 BAT+上电和关断。  驱动器可能会使用更多的 FET、但可能需要对值进行一些调整。  由于驱动器需要为加速电路触发器留出一定的余量、因此请确保保持良好的 REGSRC 电压、以便 DSG 和 CHG 输出在稳压下运行。  

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    您好,

    感谢您的解决方案。

    我想使用 MCU GPIO 分别驱动 MOSFET、而不是 Bq76930的上部和底部 CHG 和 DSG 引脚。

    我能否简单地将其替换为2个不同的 MCU GPIO、能否释放  Bq76930的{(CHG_U 和 CHG_B)&(DSG_U 和 DSG_U)}引脚? [这将帮助我完全访问 MCU 而不是 AFE ]。

    其次、对于试图用于 MOSFET 的器件为"IPB042N10N3G"且 pacjkage 为 D2 Pak、请确认我是否可以简单地替换、 或者、如果连续100A 电流需要进行任何修整、请分享。(充电路径10个 MOSFET 和放电路径也10个 MOSFET、所有 MOSFET 都将并联)

    Rohit

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    您好、Rohit、

    您可以使用 MCU 控制 FET、通常需要一个接口电路来从 MCU GPIO 的低电平电压转换到更高电平的 FET 栅极电压、尤其是电荷 FET 的大摆幅。  您可能会看到 http://www.ti.com/power-management/gate-drivers/overview.html 。  BQ76930EVM 充电驱动器上的弱驱动和晶体管电路可选用隔离式驱动器。  MCU 控制的一个复杂问题是放电 FET 对突然过载的响应速度、短路响应通常非常快、例如从底部 BQ76930开始、而 MCU 响应可能更慢。  根据需要使用适当的逻辑。  

    您注意到的 MOSFET 可能非常强大、请咨询供应商或制造商、了解有关该组件的具体注意事项。  有关 TI 的 MOSFET 选项、请参阅 http://www.ti.com/mosfet