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[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5175:19 LM5175PWPR 12V-30V 至28.00V @ 15A

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5175, LM5157

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/826997/webench-tools-lm5175-19-lm5175pwpr-12v-30v-to-28-00v-15a

器件型号:LM5175
主题中讨论的其他器件: LM5157

工具/软件:WEBENCHRegistered设计工具

尊敬的 Sirs


在以下项目中使用 LM5175:

我随附 pdf 格式的原理图和 PCB

输入电压范围12-30V 输出电压28V 15A 100kHz、并联两个电感器 Wurth 7443641000 10uH 37A 2.4m Ω 等效电感器5uH 74A 1.2m Ω。

对于13.5V IN 输入和28V IN 输出、该卡在降压/升压模式下工作、而不是仅在升压模式下工作。


我认为主要问题是我们在4层 FR4上开发了它、因此 MOSFET 散热面积不允许有较短的栅极轨道。


在使用"LM5175降压-升压快速入门工具- R9.xlsm"重新执行同一项目和使用"WBdesign"之间、我进行了检查、得到了不同的结果。


例如、具有"WBdesign"的补偿组件(COMP 引脚)会得到10Kohm + 15nF // 330pF 以及"Buck-升压快速入门工具- R9.xlsm"


我得到3K16千欧+ 12nF // 39pF (请注意、输入电感5uH 1、2m Ω 的数据)。


我们犯的另一个错误是没有并排绘制 SW1 // HDRV1和 SW2 // HDRV2轨迹。


如果您在生成下一个样本之前报告任何更正、我将不胜感激。

此致

Orfeo Milanie2e.ti.com/.../Schematic-Power.pdfe2e.ti.com/.../PCB-layout.pdf

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    您好!

    我们明天将答复。

    谢谢、

    应用工程学 Yohao Xi

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    您好、Youhao Xi


    我修改了电路、如所附的新图、因为使用示波器、我检测到 Q32 // Q33和 Q35 // Q36之间存在交叉传导问题、从而损坏了 LM5175芯片。


    我更换了 LM5157芯片、并插入了 R = 10欧姆和肖特基二极管、以增加死区时间。


    我正在测试升压 CCM 模式电路、因此我禁用了 Q30、Q31、Q34。


    该电路在输入电压= 13.5V 和输出电压= 29V @ 15A 的条件下工作。


    我所做的更改是否可行、或者它们是否会导致问题?


    是否有更好的解决方案?

    谢谢、

    Orfeo Milanie2e.ti.com/.../Schematic-Power-revB.pdf

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    您好、Orfeo、

    感谢您的更新。  您所做的是创建死区时间的正确方法:减慢电阻器的导通速度、并加快通过二极管的关断速度。

    为了确保不再发生击穿、请监控高侧和低侧 FET 的 Vgs、并查看两个 FET 之间至少20ns~30ns 的死区时间、在 FET 的 Vth 电平上测量。  请避免死区时间过长。

    我们建议在并联 FET 之前添加1欧姆左右的栅极电阻器。  因此、在这种情况下、您应该具有以下配置:

                       1欧姆-->栅极1  

    DRV --> (D//R) --> <

                      1欧姆-->栅极2

    上面的"<"符号表示分为两行、每行1欧姆到栅极; "->""是信号流方向。  (抱歉、Webench 不允许我在窗口中画画)。

    谢谢、

    Youhao