[参考译文] WEBENCH®︎工具：LM3409 FET 调光器

您好！

当分流 FET 断开时、C9会使 EN 在短时间内变为低电平。  EN 不应为低电平、R4为100欧姆、C9为2200pF。  这是220ns 的时间常数。  EN 的电平不应与 R1相同。

1) 1) 是的、它会在分流 FET 断开时导致低电平短路状态。

2) 2) 当分流 FET 短接 LED 堆栈时、应启用 LM3409。

此致、

您好、蓝色波形为 R1、黄色波形为 EN。 我使用了两种 PWM、但我发现 EN 测试点与 R1相同。  我知道 LED"外部分流 FET 调光"系统不是 EN 调光器。  但最后、我还介绍了为何需要 将 C9更改为220ns？为何 EN 需要 在 "外部分流 FET 调光电路"系统中体验低电压。

我发现、使用     C9 (例如、 0.06%占空比 20kHz)。 如果没有 C9、LED 将始终闪烁为什么  PWM 占空比很小。 C9 为何在系统中具有如此重要和特定的作用？  

您好！

C9重新启动 PWM 周期。  这不是分流 FET 调光时使用的首选方法。  第二个为 Coff 引脚提供电流的关断电阻器是：

请参阅数据表中的8.3.8和图27。

在这些非常低的调光占空比下、您的输出电压是什么样的？

此致、

1：这是具有最小 PWM 占空比的 LED 输出波

2：这是具有更多 PWM 占空比的 LED 输出波

3：我对图27的奇数提出了一些问题。 外部并联 FET 调光电路。 但当我上电时，P mos 和 N mos 都在叫，恐怕不要再试了。

“C9重新启动 PWM 周期。 ”  我能不能理解 LM3409系统频率与 N mos 调光器频率 同步 起始点？

您好！

我不确定您要问什么。  您正在尝试做什么？  有很多高频振铃。  您使用的是 EVM 还是您自己的电路板？

您的并联 MOSFET 的额定电压是多少？  振铃期间、示波器在输出峰值上显示大约100V 的电压。

此致、

大家好、我使用了电路板、这是我的 sch、N mos 是150V 额定电压。

我希望使磁珠以极低的占空比(例如、具有13ns 脉宽的 J2)亮起。

1：I 测试 C8可以通过低 占空比使系统更稳定、我想了解原理。     

   “C8重新启动 PWM 周期。 ”  我能理解 这一点吗：PMOS 工作频率需要与 N mos 调光器频率同步？但看起来像 tps92641，它不使用 C8进行外部并联 FET 调光吗？

2：如何减少大量高频振铃。

非常感谢。

您好！

1) 1) 您的设计中包含 C8的电路是先前尝试从分流 FET 关闭且 Vout 变为低电平时恢复的电路。  它所做的只是在 EN 脉冲恢复为高电平时复位 LM3409以打开开关 MOSFET。  正确或更好的解决方法是第二个关断电阻器、当输出为低电平时、它会使关断计时器保持运行。  数据表中的图27和第8.3.8节中提到了这一点。  如果您的 MOSFET 发生故障、则实施不正确。  TPS92641器件是在后来开发的、其工作方式有所不同。

2) 2) LED 如何连接到 LM3409电路？  是否有导线？  振铃是由寄生电感引起的。  您如何测量这些信号？  示波器连接也不能具有太大的电感。  您是否查看了驱动波形以查看测量结果是否正确？

您的设计是否始终具有极低的占空比？

此致、

您好！

1)我找到 一个描述“这个修改包括2个额外的二极管(即 BAT54H)和1个电阻器(R OFF2)，并且只在时相关
低于10kHz 左右的并联 FET PWM 调光。"  从 AN-1953 LM3409HV 评估板开始..但我的调光器 PWM 频率为20kHz。 第二个关断电阻电路可以应用到我的系统上？ 二极管可以与 SS34搭配使用？  

 如果我使用并联 FET PWM 调光、哪种调 光效果更适合用于 TPS92641和 LM3409HV？

2) 2)连接的 LED 通过 J1连接。 LED-与 J1.GND 保持连接。   我的测试点是.NMOS 作为 GND、标签"LED+"作为测试波。  

  "振铃是由寄生电感引起的。" 这是由 NMOS 还是22UH L 产生的？

3)该产品用于舞台影院，因此需要非常 低的光照场景。 它不会始终为低亮度、但它可能始终通过 PWM 调光器关闭 LED。

感谢你的答复。

您好！

1) 1) 滞后控制器可调暗至高比率。  TPS92641也可调光至高比率。  您的设置配置导致问题。  在继续之前、需要更正波形。

2) 2)寄生电感是由"连接的 LED 通过 J1连接"引起的。  这些导线会导致您看到的振铃。  如果您查看 LED 上的电压、而不是电路板上的电压、则看起来会有所不同。  尝试在 LM3409电路的输出与 LED 之间以最小的电感连接 LED 或不同的 LED 负载。  分流 FET 应靠近 LED 负载、且布线或导线电感应最小。

3) 3) 一些 EVM 已设置为并联 FET 调光、您可能需要获取一个 EVM 并尝试它。

此致、

大家好，今天我再看一下 AN-1953。

1：  我想知道我的 TOFF 时间是否 设置为242ns，因此 tc Time 需要设置为小于 TOFF 时间 。购买不同的 tc Time，是否有不同的效果？例如 tc Time 设置为100ns 和200ns。

2：  我有另一个问题。黄色是 NMOS 的 G 波形，蓝色是 NMOS 的 D 波形。我发现 LED 开启时间比关闭时间慢。我想加快 LED 开启时间，所以我 尝试各种 NMOS 进行测试，例如。 IRF110 .但不是很有效。   为什么灯缓慢点亮有任何原因吗？

此致

您好！

与此电路相比、两个关断电阻器更适合分流 FET 调光。

关断时间与 C9时间延迟没有任何关系。  TOFF 控制开关 MOSFET 在正常运行期间的关断时间、无需分流 FET 调光。  由于 Coff 无法充电、因此在没有第二个关断电阻器的情况下分流 FET 调光的关断时间将使其达到最大关断时间。  当分流 FET 导通时、该公式中的 Vo 为零伏。  除了在12V 电压下运行、关断脉冲将比时间常数短得多。

"我有另一个问题。黄色是 NMOS 的 G 波形、蓝色是 NMOS 的 D 波形。我发现 LED 开启时间比关闭时间慢。我想加快 LED 开启时间、所以我 尝试各种 NMOS 进行测试、例如。 IRF110 .但不是很有效。   为什么灯慢慢亮起有任何原因？"

是什么导致漏极上升？  是什么导致漏极下降？  当分流 MOSFET 导通时、它可能会通过漏极路径拉出大量电流。  当分流 FET 关断时、电感器电流将漏极拉高、分流 MOSFET 不会强制该电流。  为了加快速度、分流 FET 和输出端需要的寄生电容更小。  如果 MOSFET 是寄生电容的很大一部分、那么具有较低输出电容的 MOSFET 将加快其速度。  公式将为 I = C *(dv/dt)。  I 是电感器电流、C 是寄生电容、dv 是输出电压、dt 是转换时间。  这是非线性的、因为输出电容随 VDS 变化。

此致、

您好 ，“当分流 FET 打开时，C9会使 EN 在短时间内变为低电平。”。 此时 、EN 电压从低电平变为高电平。了解 I_LED 的3.5微秒延迟不会出现吗？

此致、