[参考译文] PMP10833：我能否针对14V/6A 输出修改此设计

您好、Ajmal、

对于高电压降压转换器、6A 电流真的很高。

由于电流很高、您可能需要以 CCM 模式运行降压转换器。

为了消除由反向恢复电流引起的开关损耗、您需要使用碳化硅二极管作为续流二极管。  

假设6A 最坏情况下二极管压降为1.7V、则碳化硅二极管的导通损耗将大于10W、这将使效率非常低。

在您的情况下、最好使用反激式转换器、同时考虑效率和成本。

此致、

Sheng-Yang Yu

尊敬的 Sgeng-Yang Yu：

感谢你的帮助。

我能否使用采用栅极驱动器 IC TPS2838以及 UCC28C42的同步降压转换器？

否则、您能否在不使用变压器的情况下建议任何设计？

我不想使用基于变压器的设计。

此致、

Ajmal

您好、Ajmal、

是的、您可以将 TPS2838与 UCC28C42配合使用。 然而、TPS2838具有的高输出电阻将使开关损耗变为高电平。  

如果您希望获得更低的纹波电流、则还必须在连续电流传导模式下运行、将碳化硅 MOSFET 用作同步 FET、这会很昂贵。

此致、

Sheng-Yang Yu

您好：Sheng-Yang Yu、

感谢您的确认！

由于我的输入电压大约为300V、我可以看到、无法使用 TPS2838、因为它的启动电压限制为30V。 因此、我的计划是使用 UCC28C42以及 Infineon   的栅极驱动器 IRS2817DS 和 MOSFET SPA20N60C3XKSA1。  

您能否检查可行性？

此致、

Ajmal T

Ajmal、

你是对的！ 我错过了开关节点电压电平器件。 TPS2838不能在如此高的电压下使用。 那么、您将在整个负载范围内以不连续导通模式运行？ Infineon FET 不是碳化硅 FET、如果在 CCM 模式下运行、FET 具有的高反向恢复电荷将过热并损坏 FET。

我找不到 IRS2817DS 产品说明书。 如果您想驱动高电压同步降压、可以使用 TI UCC27714半桥驱动器。

要设计和计算同步降压功率级和 FET 损耗、您可以使用我们的功率级设计器工具。

http://www.ti.com/tool/POWERSTAGE-DESIGNER

此致、

Sheng-Yang Yu

您好 ：Sheng-Yang Yu、

非常感谢您的大力支持！ 并推荐驱动器 IC。

您能否建议在我的应用中使用 MOSFET 以及驱动器 IC UCC27714？

我已经下载了设计人员并考虑作为参考。

此致、

Ajmal T

Ajmal、

由于高电压转换比和 低占空比、大多数电流将通过同步 FET 传导。 假设 syncFET 上有6Arms 电流、则需要使用导通阻抗小于60m Ω 的 FET、以使导通损耗小于2W。

假设 CCM 运行时电感为47uH、开关频率为100kHz、那么我在 digikey.com 上可以找到的价格最低的 SiC FET 是 CREE 提供的 C3M0030090K、这仍然非常昂贵...

仅供您参考。 我们进行了具有170V 和28V/8A 输出的高电压同步降压设计。 我们将2个 IPP320N20N3 FET 并联用作同步 FET。 FET 最终因反向恢复电荷(Qrr)而出现故障。 一流的600V +硅超结 FET、Qrr 均高于2 X IPP320N20N3。 因此、如果选择降压拓扑、我真的认为您必须使用 SiC FET。

此致、

Sheng-Yang Yu

您好 ：Sheng-Yang Yu、

我可以在数据表中看到 、IPP320N20N3和 C3M0030090K 的 Qrr 几乎相似(~500nC)。 反向恢复时间是否是问题所在？ 因为我可以看到、SiC FET 的 TRR 仅是 IPP320N20N3的一半。

由于 SiC FET 的价格略高、因此我们能否通过放置一个 TRR 较低且与 MOSFET 并联的并联二极管来消除此问题？

对于采用非同步拓扑的 DCM 模式、您有何看法？

使用 SPA20N60C3XKSA1等 MOSFET 和  MBRB40250TG 等低压降续流二极管(Vf=0.6V@6A)可以并行使用两个二极管来降低应力。

谢谢、此致、

Ajmal