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器件型号：TIDA-010015 主题中讨论的其他器件： CSD19505KCS、 UCC24612
您好，
我只想确认 在 TIDA-010015模型中选择次级侧同步整流 MOSFET。 数据表中提到，MOSFET 的峰 值电流为3A rms 14A 时至少应为7m Ω。
对于此 TIDA-010015模型，考虑到21A 等连续电流，最小 Rdson 为4.7m Ω。因此 MOSFET Rdson 的选择应大于5mohms。 但在此设计中、所选的 MOSFET (CSD19505KCS) Rdson 仅为2.6m Ω。 有没有人能在这里解释一下这个概念、因为我将这个设计用于我们的应用需要在组件选择中做一些澄清。
似乎是传导损耗的效率折衷。 如果我错了，请纠正我的问题。
如果我在我们的设计中使用相同的 MOSFET 会怎么样？ 我是否应该尝试并联 MOSFET 以最大程度地降低热耗散？ 如果我使用并联 MOSFET、我是否需要重新考虑 Rdson 参数、我发现相关的帖子建议在 Rdson 小于3mohms 时不要使用 SYn 整流。
文章链接： https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/691605
请提供建议
此致、
巴拉
