[参考译文] TIDA-01093：低侧 FET 设计注意事项

您好、Eddie、

高侧与低侧的选择通常取决于系统或行业。  高侧开关可简化与电池组基准的通信。 但正如您提到的、高侧开关更难需要 P 沟道 FET 或电荷泵驱动器。  任何驱动器都将获取电流、这可能是电子功率预算的一部分。  高电流应用有时更喜欢使用低侧 FET 以实现更简单的驱动、并处理更复杂的通信路径。

对于 TIDA-01093并针对高侧开关进行修改、需要注意以下几点：

1. 保护信令设计用于向下流动以驱动低侧 FET。  考虑电路是否应使信号向上流动或将低侧信号电平转换到电荷泵驱动器。
2. 启动电路将需要响应适合高侧 FET 的信号。  它可以从 PACK+端子移动或从 PACK-基准输入进行感测。
3. 负载检测可能会发生变化、这似乎更简单、因为 PACK+将相对于 MCU 接地移动。  
4. 通信接口。 通常、这应该更容易、因为许多是以 GND 为基准的、PACK-将始终可用。

当然、请查看 TIDA-01093的设计指南、了解设计和系统要求。