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[参考译文] I#39；m 在 Tina 上模拟降压转换器时遇到问题

admin
Guru**** 2529560 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21530

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/858375/i-m-having-trouble-simulating-a-buck-converter-on-tina

主题中讨论的其他器件：UCC21530

我尝试使用 UCC21530栅极驱动器来仿真降压转换器。

该驱动器接收5伏的方波输入、并输出20V 的方波、用于开关 MOSFET。

栅极驱动器工作正常。

降压转换器的占空比为0.4。

只要 MOSFET 的漏极电压低于栅极电压、降压转换器就能正常工作。 如果漏极电压高于栅极电压、则晶体管的输出上限为8伏、即栅极电压的40%。 我在不同公司的不同 MOSFET 中尝试过这种方法、他们都给了我相同的结果。

原理图如下：

VG1和 VG2是驱动器的输入。

VM1和 VM2是驱动器的输出。

VM3是转换器的输出。

VM4是转换器的输入

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Mukund、

    感谢您的提问。 我在高功率驱动器组的应用团队工作。

    您的设计将为您的高侧驱动器使用接地参考电源。  这可能是导致问题的原因。  高侧往往以高侧 MOSFET 的源极为基准。  这样栅极驱动电压会增加 Vgs 并打开 MOSFET。  我可以看到 VM5 (源极)同时上升，电压与 VM1 (栅极)的电压大致相同，这意味着 T3可能没有打开。

    您可以参考 UCC21530数据表中的典型应用部分(9.2)、了解更多具体的原理图示例。

    https://www.ti.com/lit/ds/symlink/ucc21530.pdf

    如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？ 如果没有、请随时提出更多问题。

    谢谢、此致、

    扎赫

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、Zach、

    我尝试将转换器连接到数据表中提到的驱动器、但遇到了其他一些困难。 我包含了一个自举电路、其中包含用于高侧 FET 的 VDD 输入。 自举电路的输出约为17V、这对于驱动器而言应该是可以的。 到高侧 FET 的输出不是方波、而是一个17V 的恒定信号。 这意味着我的高侧 FET 没有切换。 如果您可以查看、将会非常有帮助。

    谢谢、

    Mukund

    原理图如下：

    和波形：

    以下是.tsc 文件：

    e2e.ti.com/.../dan_5F00_buck.TSC

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    您好、Mukund、

    自上一篇帖子以来、您对您的电路进行了一些不错的更改。  C1旁边有一根导线，用于将 VDDA 和 VSSA 短路。  这就是您的 VF2和 VF8波形(分别为 VDDA 和 VSSA)看起来相同的原因。  高侧没有通过这些引脚获得足够的电压来打开。  OUTA 看起来具有与 VF4 (高侧 FET 的源极)类似的波形、因此当 OUTA 上的电压相对于 GND 为17或18时、Vgs 电压接近零、这就是 FET 不导通的原因。  删除 C1旁边的导线将解决您的问题。

    引起关注的唯一其他原因可能是自举二极管(D1)、尤其是击穿电压。  将其设置为100V 或更高电压应避免其损坏以及开关期间高侧断电的任何问题。

    如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？ 如果没有、请随时提出更多问题。

    谢谢、此致、

    扎赫

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    你好、Zach、

    感谢你的答复。

    我移除了 C1旁边短接 VDDA 和 VSSA 的导线、但仿真器给了我一个收敛错误。 我尝试减小电容 C1、但它没有帮助。 我正在尝试对其进行调试、但我无法在任何地方进行调试。

    如果您能看一下、那将会非常有帮助。

    谢谢、

    Mukund

    e2e.ti.com/.../0640.dan_5F00_buck.TSC

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Mukund、

    我注意到您的 T1晶体管的源极连接到15V。  它应接地。

    如果您继续遇到收敛问题、则应考虑将 TR 最小时间步长参数更改为更大的值、大约为1ps。  如果仍然遇到收敛错误、请忽略该错误并让仿真继续。  有时、这些仿真中会产生一些高频噪声、从而导致收敛误差。

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    谢谢、此致、

    扎赫

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    你好、Zach、

    我将 T1的源极连接到 GND、但仍然会出现相同的误差。 如果我忽略它、仿真就会停止。

    如何更改 TR 最短时间步长参数？

    我转到"Analysis=> Set Analysis Parameters"、但我找不到 TR Minimum Time Step 参数。

    我在网上也找不到任何关于它的信息。

    谢谢、

    Mukund

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    您好、Mukund、

    以调整 TR 最短时间步长参数。 转到 Analysis parameters (分析参数)时、单击右下角的手按钮、然后选择"View All"(查看全部)。 向下滚动、它应靠近底部。

    我查看了您的设计文件、并进行了我在上一篇文章中建议的更改、将最短时间步长设置为10ps。 仿真将在我的系统上运行、不会出现收敛错误。

    e2e.ti.com/.../0640.dan_5F00_buck_5F00_edit.TSC


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    谢谢、此致、


    扎赫