主题中讨论的其他器件:UCC27517、 UCC27524、 BQ76930
20节串联电池管理模块参考设计:DSG MOSFET 栅极上的电压约为7.7V (DSG_B≈12V)。MOSFET 是否过低? 当电池电压低于2V (VCx=2V*5=10V)。时、DSG MOSFET 栅极处的电压计将更低(10V-4.3V=5.7V)、因此有更好的解决方案?
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20节串联电池管理模块参考设计:DSG MOSFET 栅极上的电压约为7.7V (DSG_B≈12V)。MOSFET 是否过低? 当电池电压低于2V (VCx=2V*5=10V)。时、DSG MOSFET 栅极处的电压计将更低(10V-4.3V=5.7V)、因此有更好的解决方案?
尊敬的 Jian:
原理图中显示的 FDB2614和 FDB082N15A 将 RDSON 额定电压设置为10V Vgs。 该电路的设计人员对器件的性能曲线及其预期用途感到满意。 其他 FET 可能具有6V 和10V 时的 RDSON 规格、而其他 FET 可能具有更低 Vgs 时的规格。 逻辑电平 FET 的规格可能低于5V。
另一种选择是使用 BQ76930 DSG 和 CHG 输出的逻辑组合来创建逻辑信号、以驱动外部 FET 驱动器。 您将需要为栅极驱动器提供电源。 您可以在 http://www.ti.com/gatedrivers 上查看 UCC27517或 UCC27524器件或其他器件。 驱动器的输出可馈送到放电栅极、进行充电时、驱动器可能会驱动 R89或电路的某种变化。 还有隔离式栅极驱动器、它们应该能够很好地进行充电 FET 控制、但它们更复杂。 我不知道将栅极驱动器与电池器件相结合的电流参考设计。
选择满足您要求的 FET 或设计。