尊敬的先生:
一般而言、在使用电感负载时、我们将使用缓冲电容器来实现 IGBT 保护。 但在 TIDA-00195中、没有缓冲电容器或任何其他缓冲电容器用于 IGBT 保护。
请告诉我、逆变器的 IGBT 开关如何受到电感负载的保护?
此外、我们还计划使用 FP75R12KT4。 我们是否需要为该 IGBT 提供缓冲器保护? 请确认相同。
谢谢、此致、
Rajasekaran
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尊敬的先生:
一般而言、在使用电感负载时、我们将使用缓冲电容器来实现 IGBT 保护。 但在 TIDA-00195中、没有缓冲电容器或任何其他缓冲电容器用于 IGBT 保护。
请告诉我、逆变器的 IGBT 开关如何受到电感负载的保护?
此外、我们还计划使用 FP75R12KT4。 我们是否需要为该 IGBT 提供缓冲器保护? 请确认相同。
谢谢、此致、
Rajasekaran
您好 Rajasekaran、
感谢您提出问题。 关断期间的电压过冲是由寄生电感而不是负载电感引起的、因为负载电流会继续不间断地流经续流二极管。 在 TIDA-00195中、通过使用 IGBT 模块(减少发射器/集电极和开关节点之间的寄生电感)和一体式封装以及直流链路电容器的最佳放置和布局、可将寄生电感保持在最低水平。 此外、通过增加栅极电阻来减缓关断、也可以减少过冲。
就您提到的器件而言、缓冲器要求将取决于系统设计-寄生电感在很大程度上取决于布局。 如果首选高开关速度、则在 IGBT 上添加去耦电容器或 R-C 缓冲器以提供保护更安全。
此致
Siva
您好!
电容器中的能量为(0.5 * C * V^2)。 寄生电感中的能量为(0.5 * LP * Imax^2)。 这两者应相等、其中 V IN 电容器能量公式为(Vpk-Vdc)、其中 Vpk 是允许的最大振铃电压、Vdc 是最大值 直流链路电压。 通常、R 的大小可限制放电(导通)期间的峰值电流。 请注意、这适用于 RCD 缓冲器、其中二极管在关断期间为电容器充电、而 R 在导通期间使电容器放电。 使用缓冲器可减少电压过冲、但代价是损耗更高。
有关缓冲器的更详细设计和分析、请参阅相关文献。
此致
Siva
您好!
您可能还会发现此博客文章对 https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/05/05/calculate-an-r-c-snubber-in-seven-steps 很有用。
此致
Siva