This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/753613/pmp20127-getting-switching-ripples-on-output
您好、
我们对原理图和 PCB 进行了一些修改、使用了您的 PMP20127。 但是、在负载为1.6A 时、输出中的噪声峰峰值高达1.5V、电路板也存在发热问题。 只需指导我解决这个问题。
原理图随附。
输出波形：=
e2e.ti.com/.../DC_2D00_DC-TI.pdf
Ankit、您好！
输出端的剧烈电压尖峰在非连续拓扑中很常见、例如此反激式设计。 为了尽可能减少这些尖峰、可以采取一些措施。 请注意、我在下面提到的所有标识 符都与您提供的原理图有关。
变压器 次级绕组通过整流二极管(D2)、输出电容器以及返回到绕组 GND 连接的回路面积(即走线电感)需要尽可能小。 D4不是必需的、实际上会增加环路面积、并产生更高的功率损耗、从而降低效率和提高温升。 我建议您移除 D4并将变压器的引脚9和10直接连接到次级侧 GND。
2. 需要将陶瓷电容器放置在 C3和 C4的位置。 电路中的 C3位置特别关键 、需要放置多个高频(低 ESL)陶瓷电容器、因为这是关键路径(高 di/dt 环路)的一部分。 大电解电容器的 ESL 太高、无法 缓解这些高频尖峰。 最好放置多个陶瓷电容器、例如10uF、1uF、0.1uF、1nF、 和 /或220pF 来衰减输出电压尖峰的各种频率元素。 由于每个电容器在不同频率下具有不同的阻抗特性、因此您可以尝试放置多个这些电容器、并查看每个电容器在多大程度上可以改善尖峰。
3. 您可能需要尝试用高频铁氧体磁珠替代1uH L1电感器。 正确选择的铁氧体磁珠(电流额定值和阻抗特性以及适当选择的滤波陶瓷电容器)应降低高频电压尖峰。 请注意、还需要将陶瓷电容器放置在 C4位置、以获得铁氧体磁珠的最佳效果。
4. 尝试 将 C2连接到次级侧 GND、而不是 D2的阴极。 有时、这很有用、因为它可能允许较小的环路区域、缓冲器可以帮助更好 地衰减高频尖峰。
并非以上所有内容都是必要的。 上述建议中可能有一个或多个、可缓解 Vout 尖峰。 这取决于所选元件的具体 PCB 布局和特性、以及您希望输出纹波和尖峰具有多低的水平。
关于过热问题、请拆下 D4、并将次级侧绕组的引脚9和10直接连接到隔离式 GND、如上所述。 此外、D2似乎被低估了。 我建议使用至少100V 额定电压的二极管以及更大的封装/外壳尺寸。 输入电压为125V 时、D2两端的尖峰 可达到 大约90V、如原始 PMP20127设计测试报告中所示。 原始设计中使用的二极管是额定电流为8A 的 D2PAK 肖特基二极管。 该封装的结至环境热阻明显较低、并且温度会较低。 上升。 另请注意放置在原始 PMP20127 PCB 上阴极铜平面/多边形上的过孔。
