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[参考译文] PMP4478：MOSFET 集电极

admin
Guru**** 663810 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/682138/pmp4478-mosfet-collector

器件型号：PMP4478

您好、再说一次、

我们有一个相关的问题。

我们将 MOSFET 从原理图更改为 PN：Rdson 为0.47R 的 STL11N65M5。 我们需要询问是否需要更改 R4和 R5值。

第二个问题是，您是否建议在 R4 (可能还有 R5)之前使用铁氧体磁珠来降低 EMI ...它是否会对设计产生不利影响？ (假设铁氧体磁珠的 Rdc 几乎为 nill)。

谢谢你。

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    TI__Guru**** 663810 points
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    其他问题：

    我们将测量 MOSFET 两端的电压、并在620V 下过冲
    我们希望将其降低到550V 以下、并且我们正在考虑修改 RCD 网络
    我们能否将 C3增加到2200pF (最大值是什么)并将 R1降低到20K (最小值是什么)

    谢谢你
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    TI__Guru**** 663810 points
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    您好！

    无需更改 STL11N65M5的 R4和 R5值、应根据 EMI 测试结果增大 R25值。

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    TI__Guru**** 663810 points
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    你(们)好
    我们确实将 R25增加到50R
    然而、振铃发生在退磁(MOSFET 关闭)时、这就是我们要求 RCD 值的原因
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    TI__Guru**** 663810 points
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    您好 Andre、

    但是、2200pF 对于 C3来说太大、20k 对于 R1来说太小。 这是效率(R1热性能)与 MOSFET 峰值电压之间的折衷。 可以在 RCD 电路上添加 TVS 来降低电压。 顺便说一下、您可以尝试将变压器更改为夹层结构、以降低漏电感。

    此致、
    Linda Ye
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    TI__Guru**** 663810 points
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    Linda 请原谅我们的延迟。
    请参阅此处的答复
    我们应该在 TVS 中选择哪些钳位电压值？ Vishay：SMBJ150A-E3/52是否合适？

    谢谢你
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    TI__Guru**** 663810 points
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    您好！
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    谢谢你
    Andre
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    TI__Guru**** 663810 points
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    您好 Andre、

    输入电压是多少？ 如果最大输入电压为264Vac，并且变压器将无线电 n 旋转为77/5=15.4，则平坦电压为264*1.4+n*Vo=447V，则尖峰电压应低于103V。 您可以尝试 SMBJ90A 或 SMBJ100A。
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    TI__Guru**** 663810 points
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    您好！

    我们将尝试并返回给您。

    此致、