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[参考译文] TIDA-00951：LV 侧 MOSFET 的缓冲器要求

admin
Guru**** 2545600 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/683164/tida-00951-snubber-requirement-for-lv-side-mosfets

器件型号：TIDA-00951

您好！

当转换器以降压模式(充电模式)运行时、LV 侧的 MOSFET 不需要任何缓冲器。 因为 MOSFET 体二极管反向恢复电流会导致 MOSFET 上出现尖峰。

还可以简要说明有源钳位电路如何帮助降低尖峰以及放电模式下导致该尖峰的确切原因。

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    TI__Guru**** 2545600 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大家好、埃斯瓦、

    我在您的另一个 E2E 帖子中回答了此问题。 我将在此处添加回复、以便其他可能阅读您的查询的用户受益。

    流经 MOSFET 体二极管的电流的 di/dt 受到漏电感器的限制。 因此、我们在 LV MOSFET 上看不到任何明显的反向恢复。

    在放电模式下、该设计用作电流馈送转换器。
    在"传统"电流馈送转换器(与电压馈送转换器不同)中、开关功率级的输入端不会有任何去耦电容。 此外、电感器电流是连续的。 因此、当对角线 MOSFET 对关闭时、由于杂散(MOSFET 引线、PCB 布线)电感、MOSFET 上会出现巨大的电压尖峰。

    在该设计中、有源钳位会在关断时将电流从 MOSFET 对角线对中移出、因此会在关断时降低电压尖峰、因为在关断时杂散电感中的能量将非常低。

    此致、
    RAM
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    TI__Guru**** 2545600 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的先生：

    感谢您的回复。

    对于我来说、放电模式期间的有源钳位操作仍然不清楚。

    考虑以下图片：

    我刚刚使用 寄生电感来驱动转换器的电流馈送侧。

    在升压模式期间、所有开关都打开、当对角线对角线对角线时、指示器会充电和放电
    线对已关闭。

    让我们考虑开关1和4已关闭。 在关闭这些 MOSFET 上的 LPS 之前、会承载电流
    当 MOSFET 关断时、存储的能量将倾入 MOSFET 的输出电容中、这将会产生
    会导致尖峰。

    现在、我的疑问是、升压电感器上存在的钳位电路如何能够缓冲由引起的尖峰
    寄生电感。

    我希望我清楚地表达了我的怀疑。

    谢谢、

    埃斯瓦

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    TI__Guru**** 2545600 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大家好、埃斯瓦、

    我已在你的另一个题头就同一个问题回答了这个问题。 请检查答案。

    此致、
    RAM