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https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/680586/pmp20178-lm5145rgyr-reference-design
我用 PMP20178作为参考、我发现高侧 MOS 和低侧 MOS 是不同的、高侧和低侧可以使用相同的 MOS。 我还发现 SW 和 PGND 之间有一个二极管 STPS6M100DEE-TR、 我不明白它的用途。 谢谢。
对于48Vin 至5Vout 等高降压比、占空比约为10%。 高侧 MOSFET 的尺寸通常可最大限度地降低开关损耗、而低侧 MOSFET 的尺寸则可最大限度地降低导通损耗。 根据 MOSFET 特性的不同、您可能会找到适合低侧和高侧的器件。
该二极管用于最大程度地减少高侧和低侧导通之间死区时间期间的损耗。 否则、低侧 MOSFET 的体二极管会以更高的损耗导通。
