[参考译文] TIDA-01573：使用阴极与金属外壳连接并在 GaN 与雪崩晶体管之间进行比较的二极管。

尊敬的 Jeff：
我的应用是具有直接时间测量功能的测距仪。 未指定范围。 在项目中、我想比较不同的光源(激光与 LED)和不同的检测器(PIN PD 与 ADP PD 与硅光电倍增器)。 在本例中、我希望驱动采用 TO18 5.6mm 封装的905nm (Ifpeak = 35A、VF @If = 12.8V、光学功率75W)和1550nm (Ifpeak = 65A、VF @ If = 8V、光学功率20W)脉冲激光二极管。 项目结构将采用模块化结构、以轻松替换光发射器和探测器电路。 但是、我希望保持可能的紧凑设计。

>由于边缘基本上变得更快，噪音就更糟了，
>您是否担心 LD 散热器的 EMI？

是的、我担心两件事。 首先、我们提到了散热器/透镜支架与接地之间的寄生电容。 在 TI 设计中、该电容将与开关 FET 并联、在激光制造商的参考设计中、该电容将与激光二极管并联。 在这两种情况下、它都可以增加上升时间。 第二个问题是散热器/镜头架的 EMI 发射问题。 这是一个真正的问题、还是我应该重点关注电流环路的 EMI 发射？ TI 是否为激光雷达应用提供了一些屏蔽建议？

感谢附上的文档、我将进行检查。

此致、
Nils

尊敬的 Jeff：
我的应用是具有直接时间测量功能的测距仪。 未指定范围。 在项目中、我想比较不同的光源(激光与 LED)和不同的检测器(PIN PD 与 ADP PD 与硅光电倍增器)。 在本例中、我希望驱动采用 TO18 5.6mm 封装的905nm (Ifpeak = 35A、VF @If = 12.8V、光学功率75W)和1550nm (Ifpeak = 65A、VF @ If = 8V、光学功率20W)脉冲激光二极管。 项目结构将采用模块化结构、以轻松替换光发射器和探测器电路。 但是、我希望保持可能的紧凑设计。

>由于边缘基本上变得更快，噪音就更糟了，
>您是否担心 LD 散热器的 EMI？

是的、我担心两件事。 首先、我们提到了散热器/透镜支架与接地之间的寄生电容。 在 TI 设计中、该电容将与开关 FET 并联、在激光制造商的参考设计中、该电容将与激光二极管并联。 在这两种情况下、它都可以增加上升时间。 第二个问题是散热器/镜头架的 EMI 发射问题。 这是一个真正的问题、还是我应该重点关注电流环路的 EMI 发射？ TI 是否为激光雷达应用提供了一些屏蔽建议？

感谢附上的文档、我将进行检查。

此致、
Nils

Nils、您好！

您所指的是什么 TI 应用手册以及您所指的是什么激光制造应用手册？ LD 散热器的寄生电容介于 LD 节点和您决定连接散热器的任何其他节点之间、

以下是有关 GaN 设计注意事项的好说明：

它讨论了 EMI 的最大来源、即 CSI、并借助小型封装和紧凑的布局、使该寄生电感尽可能小。 噪声可能表现为误触发 GaN 或缩短开关时间。 将散热器安装在正确的位置可以降低共模 EMI。

这是否有帮助？ 如果您有任何疑问、请告诉我、

谢谢、

Nils、您好！

感谢这次更新！

这应该起作用、不需要 S1、因为1210具有内部自举开关、该开关在 LO 完成路径后10ns 打开。

您能否以菊花链形式将1020连接到1210的 HO-HB-HS 输出？ 1020可以安装在 HS 上、并使用 HB 作为 VDD、并使用紧密放置的电容器。

这将为您提供分离输出和高激光雷达电流以及1210的电平转换器。

您使用的频率是多少？ 脉宽是多少？

您目前最关心的是什么？ 您是否仍然需要具有1210 CMTI 功能的信号隔离？

谢谢、