器件型号:TIDA-00961
在使用 GaN 实施高密度电源解决方案时、使用 LMG3410R070 (具有集成驱动器和保护功能的 GaN 功率级)有哪些优势?
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器件型号:TIDA-00961
在使用 GaN 实施高密度电源解决方案时、使用 LMG3410R070 (具有集成驱动器和保护功能的 GaN 功率级)有哪些优势?
TIDA-00961是一款 TI 参考设计 、展示了如何实现高频临界导电模式(CrM)图腾柱功率因数校正(PFC)、这是使用 GaN 设计高密度电源解决方案的一种简单方法。
LMG3410R070 (具有集成驱动器和保护功能的 GaN 功率级)使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。 LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。 LMG341xR070集成栅极驱动器可在 VDS 振铃接近零的情况下实现100V/ns 的开关、电流限制小于100ns、可针对意外击穿事件提供自我保护、过热关断可防止热失控
TIDA-00961利用 LMG4310的集成驱动器、该驱动器在本设计的1MHz 开关频率下非常重要。 其100V/ns 开关功能和零反向恢复有助于实现高功率密度、高效率和可靠的解决方案。 现成的子卡(从 TI 购买)有助于避免高频布局问题。
有关此主题的其他信息、请参阅 TIDA-00961用户指南的第2.3节"系统设计原理"。
您还可以从 TIDA-00961文件夹下载此参考设计的设计文件(BOM、原理图、Gerber)。