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主题中讨论的其他器件:TINA-TI工具/软件:TINA-TI 或 Spice 模型
我已经建立了一个开环降压电路、并使用该电路进行仿真。 输入激励源为3V 直流电压和占空比为40%的5V 方波、用于控制高侧 NMOS。
理论上,输出应为3*40%=1.2V。 但仿真结果显示它是3.28V。 请告诉我原因。 您可以看到随附的仿真报告。 谢谢
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您好、Chen、
您的原理图中需要注意的几件事。
输出电阻过高。 由于您在较低侧使用二极管、因此电容器没有放电路径。 因此、Vout 持续增大。
2.源电阻50Ω Ω 也很高。 您可以使用几个 mΩ 的范围内的东西。
所选 MOSFET 的 Vt 为3.1V。 当输入电压为5V 时、MOSFET 不会完全导通。 我建议使用0.5V ~ 1V 的 MOSFET。 如果不是、请增大栅极电压、使其完全导通(线性区域)。
此致、
Karthik