我正在寻找一款 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器、该驱动器能够驱动2个串联的 N 沟道 MOSFET 并实现双向电流。 参考 SLVA948图13。 我发现所有的栅极驱动器都具有反向电压保护功能、可在输出电压高于输入电压时关闭 MOSFET。 输入电压为工业24V、因此需要40V 电压来支持瞬变。 MOSFET 本身将具有最大15A 的稳态电流。 我计划使用 INA302A 来调节电流、它将由 DAC 控制。 有什么关于如何驱动2个串联 N 沟道 MOSFET 的想法？
您好 Richard、
感谢您的快速响应。 是的、我希望驱动通过其源极引脚连接的背靠背 MOSFET。 这些 MOSFET 位于高侧(非接地参考)、将用作支持双向电流流动的高侧开关。 功率将连接到 MOSFET #1的漏极、而负载将连接到 MOSFET #2的漏极。
我想仿真以下示例、但使用 N 沟道而不是 P 沟道 MOSFET。 我不知道如何在不导致反向电压保护进入大多数驱动电路的情况下驱动它们。LM5050看起来也具有反向电压保护。
您是否有一个示例说明我如何使用它来驱动背靠背 MOSFET？ 是否有其他您建议的方法可以更好地了解我要做的事情？
您好、Timothy、
感谢您对我们的驱动程序的关注、我与 Richard 一起工作、在他外出时、他将帮助提出解决方案。
从原理图和描述中、您似乎正在寻找专用高侧驱动器来驱动背对背 N 沟道 FET 来连接/断开负载。
尽管我们目前没有专用的高侧驱动器、但您可以考虑使用我们的半桥驱动器的高侧、使用 UCC27282在以下配置中驱动 FET：
-此解决方案需要专用的浮动偏置(用于高侧以高占空比驱动 B2B FET)、其中包括 SN6501 +变压器、以实现长占空比运行。
-驱动器高侧具有4.4V 的 UVLO、浮动电源将保持在该阈值以上。
在5.5V 至16V 的额定栅极驱动运行。
-2.5A/3.5A 峰值驱动电流足以驱动高栅极电荷 FET、从而确保驱动器+ FET 的响应时间最短。
如果您有其他问题、请告知我们。
此致、
-Mamadou
