尊敬的 TI 专家： 
如何选择栅极至源极之间的上拉电阻器？ (47.5k)
取决于 MOSFET 的栅极电荷(Q)或(CISS)？ 您能否分享用于根据同一应用的 MOSFET 参数选择该电阻器值的基本公式？
此外、光耦合器的集电极开路晶体管是否发挥任何作用？
该应用只能打开或关闭。 (无高开关应用)
谢谢。此致、
见 Devendra Pandya
尊敬的朋友们：
正确：此部分的应用仅用于打开或关闭 PFC 级。 它不是一个 高频开关应用、只是启用或禁用 PFC 级、因此打开和关闭的延迟可以在几毫秒甚至几十毫秒内完成。 现在 Q4的 Ciss 或 GSG 不起任何作用。 我们必须考虑的唯一参数是光耦合器 U4的 CTR (请参阅本原理图的附加部分)以及最终其"暗电流"。
参数 CTR：当引脚4有非常低的电压(饱和电压为~ 100mV - 200mV)时、流经 R19的电流为 Vr19 = VCC_Primary (12V)- Vce (sat)= 12V - 0.2V = 11.8V。 现在该电流为 Vr19 / R19 = 11.8V/47.5k Ω= 248uA。 现在、假设低 IF 电流导致的 CTR 降低系数为40%。 此时、实际 CTR 将为300%-600%乘以40%。 这意味着它将处于120%- 240%的范围内。 为了留出一定的裕度、让我们考虑它的最小值为120%。 现在、初级电流(发射极侧)为248uA / 1.2 = 206uA。 现在知道了发射器的电流、我们应该在 CTR 衰减曲线上验证它是~ 40%、如果您推断该曲线、它应该与40%相交。 现在我们可以计算 R21的电阻器值= V (PFC_ON)- VF (发射极)/ 206uA。 = 3.3V - 1.2V/206uA = 10.19k Ω、其中 V (PFC_ON)是微控制器数字输出的输出、1.2V 是发射极二极管的压降。 您可以看到、考虑到我对 CTR 取了裕度、我选择了10k Ω。
我希望这能够解释计算。 如果没有、请告诉我。
此致、
罗伯托
