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[参考译文] PMP7282:无气流时、MOSFET 达到176°C

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP7282
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1278854/pmp7282-without-air-flow-mosfet-reaches-176-deg-c

器件型号:PMP7282

通过 PMP7282的测试报告可以观察到这种情况; 尽管高侧的 MOSFET 有三个并联、但顶部的 MOSFET 仍达到176度。

我们完成了48V 输入和50A 输出的计算,其中考虑了 每个相位的电流为25A;

假设每个相位为25A、高侧为3个 MOSFET;通过计算、单个 MOSFET 在25度环境温度下的最高温度达到65-68度

我们希望通过计算了解温度如何达到176度左右;您能告诉我们每个 MOSFET 的顶部相位损耗  

此致、

A·萨尔维

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    Anish、您好、您是否正在使用 PCB 热仿真模型? 在计算中、您是否考虑了 PCB 设计的特性?

    对于实际实现方式、热性能还取决于布局。 对于这些砖型应用、尺寸是重点、折衷将是热性能。 这些器件将具有更高的密度和更小的消散面积。 此外、这也是开关节点、因此您不希望因 EMI 而过大。 因此、FET 需要靠近在一起 、并且也会动态地彼此加热。 由于以上每一项、在不考虑 PCB 的情况下、很难在计算模型中进行复制。 相反、工作台数据或热仿真工具会更准确。 在我们的例子中、我们要显示在实验中拍摄的热像图。

    最后、这些砖型应用通常始终具有一些散热技术、例如将其连接至金属或部分气流。

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    我们计算了在环境温度为25度时、每个相位承载25A 时48V、50A 的损耗(如测试报告第7/40页中所述)

    每相有3个上侧和3个下侧松动;这意味着在任何相位每个 MOSFET 承载的电流25/3 = 8.333A

    考虑到 这一点、我们计算了单相 HS 损耗/MOSFET 的损耗;因此、通过我们的 计算、HS MOSFET 达到90°C

    低侧也约为89摄氏度

    您可以浏览 Excel 工作表、  

    因此为 e2e.ti.com/.../PMP7282-Losses.xlsx

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    Anish、您好、感谢您发送、通过查看 Excel 数据表、RthJA 未在其数据表中明确定义、并且可能不指示它在 PMP7282上的布局、因为该值上没有子项目符号或注释。 此外、Excel 不考虑由于靠近其他也在升温的 FET 而导致的温升。 我认为、为了获得更精确的结果来与基准数据进行比较、需要一个热仿真工具。

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    一定要注意它

    - Anish