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您好!
我目前正在为自己的应用设计电源。 我的输入约束与 PMP11302设计的规格略有不同。
输入规格:
输入电压:1200V
输出:12V
负载电流:100mA (最大值)
因此、为了满足输入规格、我进行了以下更改:
- 已更改输入端电容器的额定电压和值。
- 将 MOSFET 额定值更改为更高。
- 将续流二极管和电感器两端二极管(D10和 D1)更改为两个串联二极管以处理高电压。
以下是我根据我的新规格重新设计此 EVM 时遇到的问题:
- 更改电容值时、是否需要更改电容两端连接的平衡电阻的值?
- 我是否需要担心 决定 FET 关断和导通速度的外部 MOSFET 规格、如输入电容(Ciss)? 尤其是 R13的值?
- 当在输入端施加1200V 的高电压时、如何计算 FET 两端的确切电压? 我知道齐纳二极管是根据齐纳电流进行调节的、并且它可能因不同的输入电压而异。
- 是否需要在更换器件时更改与 FET 并联连接的缓冲电路?
- 在器件的关断期间、二极管 D10和 D1上预期电压有多大? 是否应该考虑将两个二极管串联更换为具有1500V 等更高规格的单个二极管、反向恢复时间小于75nS? 流经这些二极管的最大功耗或 WCCA 电流是多少?
- 我可以在空载条件下指望 PMP11302提供稳定的输出吗? 根据数据表建议、UCC28881的输出端是否必须使用齐纳二极管或负载才能获得稳定的输出?
- 在 PMP11302设计的测试过程中,我正好将反馈电阻器 R8短路,现在我在输出端观察到高电压。 我看到输出端的空载电压大约为60V。 在确定我将反馈电阻器短路时设计可能出错的地方时、是否需要您的专家建议? 我还可以看到、该器件不再根据其规格支持任何负载。 请说明一下这种情况?
提前感谢您的支持。