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器件型号：TIDA-00173 大家好、
蓝色箭头所指的 TVS 击穿电压与串联的 MOS Vds 电压之间的关系是什么？
如何选择 用 红色箭头指向的电阻器和稳压器？
非常感谢。
大家好、
蓝色箭头所指的 TVS 击穿电压与串联的 MOS Vds 电压之间的关系是什么？
如何选择 用 红色箭头指向的电阻器和稳压器？
非常感谢。
您好、Joyce、
TVS 的击穿电压(D15 + D16)应低于 Q2的 VDS 额定值(本例为950V)减去一些必要裕度。
它还应接近 Q1的最高可能漏极电压的中间值、以便向两个 MOSFET 提供压降。
在这种情况下、假设最大输入为1200Vdc、加上300V 反射电压和200V 浪涌、最高峰值电压可能达到大约1700V。
因此、 合计最大840V 的 D15和 D16用于 在 Q1和 Q2关闭时钳制 Q1的栅极电压。
D31会将 Q1的 Vgs 钳位到不超过12V、这是 Q1 导通时功率 MOSFET 的典型驱动导通电压。
至于 L1的电阻、它应足够小以驱动 Q1、并足够高以与 Q1的 C42和/或 Cgs 配合使用、从而滤除 开关期间的任何瞬态噪声。 请注意、L4的850Ω 是 其100MHz 处的典型阻抗。 对于直流、其阻抗仅为1MHz 处的20Ω 和0.1Ω 最大值。
此致、
杰罗姆·尚
